[发明专利]半导体激光器封装硅基板芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811217996.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111082305A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 汪鹏;徐艳;徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024;G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 封装 硅基板 芯片 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器封装硅基板芯片，其特征在于：包括晶体硅衬底(1)，所述晶体硅衬底(1)的两侧面上分别覆盖有一层二氧化硅层(2)；所述二氧化硅层(2)背向晶体硅衬底(1)的一侧面上覆盖有一层氮化硅层(3)。
2.如权利要求1所述半导体激光器封装硅基板芯片，其特征在于：所述二氧化硅层(2)厚度为100埃。
3.一种半导体激光器封装硅基板芯片制备方法，其特征在于包括如下步骤：
S1：选取晶体硅衬底(1)，对晶体硅衬底(1)进行双面抛光；
S2：将晶体硅衬底(1)放入管式炉中，以高温氧化的方式在晶体硅衬底(1)的两侧表面同时生成一层二氧化硅层(2)；
S3：在管式炉中以低压化学沉积的方式在二氧化硅层(2)背向晶体硅衬底(1)的一侧表面生成一层氮化硅层(3)；
S4：以光刻掩膜的方法在氮化硅层(3)表面刻蚀出需要腐蚀成V型槽的区域；
S5：在氮化硅层(3)的表面用剥离工艺形成金薄膜电路；
S6：以氢氧化钾浸泡步骤S5所得产品、腐蚀出所需深度的V型槽。
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