[发明专利]磁场传感器装置及测量外部磁场的方法在审

专利信息
申请号: 201811219531.4 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109696559A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: D·哈默施密特;H·科克;A·蒙特拉斯特利;T·沃斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01P3/488 分类号: G01P3/488;G01P3/487;G01B7/00;G01B7/30;G01D5/249;G01D5/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 传感器壳体 磁场传感器电路 磁场传感器装置 芯片 第二传感器 第一传感器 外部磁场 测量
【权利要求书】:

1.一种磁场传感器装置(400),包括:

传感器壳体(410);

布置在所述传感器壳体(410)中的第一传感器芯片(420-1),所述第一传感器芯片(420-1)具有集成的第一差分磁场传感器电路;和

布置在所述传感器壳体(410)中的第二传感器芯片(420-2),所述第二传感器芯片(420-2)具有集成的第二差分磁场传感器电路。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(400),其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)被设计用于测量同一外部磁场。

3.根据权利要求1或2所述的磁场传感器装置(400),其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)在所述传感器壳体(410)内布置在公共的引线框(430)上。

4.根据权利要求3所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)布置在所述公共的引线框(430)的上侧,并且所述第二传感器芯片(420-2)布置在所述公共的引线框(430)的下侧。

5.根据权利要求4所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)具有与所述第二传感器芯片(420-2)反向的差分极性。

6.根据权利要求3所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)布置在所述公共的引线框(430)的同一侧上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)相对于彼此横向错位地布置在所述传感器壳体(410)之内。

8.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器装置,其中所述传感器壳体(410)具有至少两个端口(440),以便为所述第一传感器芯片(420-1)和/或所述第二传感器芯片(420-2)提供至少一个供电信号端口以及至少一个接地端口。

9.根据权利要求8所述的磁场传感器装置,其中所述磁场传感器装置被配置为使得所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)共享至少一个公共的接地端口(GND)。

10.根据权利要求8或9所述的磁场传感器装置,其中所述磁场传感器装置被配置为使得所述第一感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)共享公共的供电信号端口(Vdd)。

11.根据权利要求8所述的磁场传感器装置,其中所述传感器壳体(410)包括至少四个供电端口,以便为所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)提供电分离的供电信号端口和接地端口。

12.根据权利要求11所述的磁场传感器装置,其中所述传感器芯片(420-1;420-2)中的至少一个被布置成与公共的引线框(430)电绝缘,以用于所述传感器芯片的电解耦。

13.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器装置,其中所述传感器壳体(410)具有用于所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)的输出信号的公共的输出端。

14.根据权利要求13所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)被设计用于根据所测量的磁场分别在所述公共的输出端处提供输出信号。

15.根据权利要求13或14所述的磁场传感器装置,其中所述第一传感器芯片(420-1)和所述第二传感器芯片(420-2)被设计用于根据同一脉冲协议来提供所述第一传感器芯片和所述第二传感器芯片的相应的输出信号。

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