[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底；

布置于所述衬底上方的装置的群组，所述装置的所述群组包括多个装置；

所述装置的所述群组的侧向表面上方的多个侧壁隔片，其中所述多个装置的所述多个侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置的所述群组之间的封闭区，相邻所述封闭区的所述多个侧壁隔片具有相同厚度；及

在所述装置之间布置于所述封闭区中的接触结构，其中所述接触结构电连接到所述装置的所述群组中的一个装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中装置的所述群组包括三个装置，且所述装置中的每一者包括大体上管状剖面，其在平行于所述衬底的主表面的侧向方向上具有大体上圆形平面横截面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述接触结构包括在平行于所述主表面的所述侧向方向上的大体上三角形平面横截面剖面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中装置的所述群组包括多个二极管装置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触结构在所述衬底远端的末端电连接到所述装置的所述群组中的所述一个装置。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步包括所述衬底上方的第一导电垫及第二导电垫，其中所述装置的所述群组中的所述一个装置进一步包括所述衬底附近的底部电极及在所述衬底远端的顶部电极，所述接触结构的接近所述衬底的另一末端连接到所述第一导电垫，且所述底部电极与所述第二导电垫连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包括所述装置的所述群组中的所述一个装置的所述顶部电极以及所述接触结构上方的连接迹线，其中所述装置的所述群组中的所述一个装置的所述顶部电极与所述接触结构通过所述连接迹线连接。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述侧壁隔片中的每一者具有沿着平行于所述衬底的主表面的侧向方向而测量的厚度，且沿着所述侧向方向而测量的在所述装置的所述群组中的两个邻近装置之间的间距小于所述侧壁隔片的所述厚度的两倍。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述侧壁隔片的所述厚度与沿着所述侧向方向而测量的所述装置的宽度的比率在约0.0001到约6的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括所述衬底上方的虚设接触结构，其中所述虚设接触结构布置于所述装置的所述群组中的所述一个装置与邻近装置群组之间。

11.一种半导体装置，其包括：

衬底上方的多个有源装置；

所述多个有源装置的侧向表面上方的多个侧壁隔片；及

邻近于所述多个侧壁隔片的接触通孔，其中所述接触通孔经所述多个装置的所述多个侧壁隔片协作地界定而具有大体上三角形的平面横截面剖面，相邻所述接触通孔的所述多个侧壁隔片具有相同厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述有源装置包括具有大体上圆形的平面横截面的大体上管状剖面。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述有源装置包括二极管装置。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括所述有源装置及所述接触通孔上方的连接迹线，其中所述有源装置与所述接触通孔通过所述连接迹线连接。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括邻近于所述侧壁隔片的虚设接触通孔，其中所述虚设接触通孔与所述接触通孔相对于所述有源装置对称地布置，且所述虚设接触通孔是浮动的。