[发明专利]一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构在审
| 申请号： | 201811220044.X | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109437086A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邢维巍;邹梦启;樊尚春;韦祎 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;卢纪 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振梁 敏感结构 支撑 衬底上表面 衬底 传感器技术领域 并排平行 反向振动 横向振动 两端支撑 振动抵消 自激振荡 成品率 耗散 减小 垂直 传递 加工 | ||
1.一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：它由第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)、支撑岛、衬底(3)组成；第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)并排平行放置；支撑岛包括第一支撑岛(11)、第二支撑岛(12)、第三支撑岛(21)、第四支撑岛(22)；衬底(3)上表面为平面；第一谐振梁(1)的两端分别固定于第一支撑岛(11)、第二支撑岛(12)上表面；第二谐振梁(2)的两端分别固定于第三支撑岛(21)、第四支撑岛(22)上表面；第一支撑岛(11)、第二支撑岛(12)、第三支撑岛(21)和第四支撑岛(22)上下表面平行且厚度相同，下表面固定于衬底(3)上表面；第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)由同一层原材料刻蚀而成，结构形状尺寸均相同，厚度方向与衬底(3)上表面垂直，梁宽度大于厚度；第一支撑岛(11)、第二支撑岛(12)、第三支撑岛(21)、第四支撑岛(22)由同层材料加工而成，形状尺寸均相同。
2.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)间隔距离不超过梁宽度的10倍。
3.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)在SOI晶圆器件层刻蚀出第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)形状，选择性去除埋氧层的二氧化硅获得支撑岛和悬浮的梁结构。
4.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)采用硅硅键合工艺加工，选取SOI硅片进行减薄、抛光形成梁膜，将梁膜和衬底(3)键合到一起，利用各向异性刻蚀获得悬浮的梁结构。
5.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)在带有牺牲层的硅片上表面CVD生长多晶硅薄膜并选择性去除局部的二氧化硅获得。
6.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)用石墨烯薄膜制备。
7.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)采用的激励方式均为静电激励，采用的检测方式为电容检测、压阻检测或压电检测。
8.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)采用的激励方式均为电磁激励，采用的检测方式为压阻检测、压电检测或电磁检测。
9.根据权利要求1所述的一种作为二次敏感结构的高Q值谐振梁结构，其特征在于：所述的第一谐振梁(1)、第二谐振梁(2)采用的激励方式均为压电激励，采用的检测方式为压阻检测、压电检测。
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