[发明专利]组合传感器和电子装置

权利要求书

1.一种组合传感器，包括：

第一红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的第一波长的光，以及

第二红外光传感器，配置为感测所述红外波长区域内的第二波长的光，

其中所述第一红外光传感器和所述第二红外光传感器相对于彼此堆叠。

2.根据权利要求1所述的组合传感器，其中所述第一波长和所述第二波长属于约750nm至约3000nm的每个波长区域，以及

所述第一波长与所述第二波长之间的差值大于或等于约30nm。

3.根据权利要求1所述的组合传感器，其中所述第一波长是比所述第二波长短的波长，

所述第一波长属于约780nm至约900nm的波长区域，以及

所述第二波长属于约830nm至约1000nm的波长区域。

4.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第一波长属于约780nm至约840nm，以及

所述第二波长属于约910nm至约970nm。

5.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第一红外光传感器包括：

彼此面对的第一电极和第二电极，以及

第一光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第一波长的红外光。

6.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第一波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第一波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。

7.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层在所述第一波长处的吸收率大于或等于约50％，以及

所述第一光电转换层在所述第二波长处的透过率大于或等于约50％。

8.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器是集成在半导体基板中的光敏器件。

9.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器包括：

彼此面对的第三电极和第四电极，以及

第二光电转换层，在所述第三电极与所述第四电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第二波长的红外光。

10.根据权利要求9所述的组合传感器，其中所述第二光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。

11.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器包括：

彼此面对的第一电极和第二电极，以及

第一光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第二波长的红外光。

12.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。

13.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层在所述第二波长处的吸收率大于或等于约50％，以及

所述第一光电转换层在所述第一波长处的透过率大于或等于约50％。

14.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一红外光传感器是集成在半导体基板中的光敏器件。