[发明专利]控制电路在审
申请号: | 201811220839.0 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN111082785A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 张明丰;刘卫中;蒋亚平 | 申请(专利权)人: | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/04 | 分类号: | H03K17/04;H03K17/12;H03K17/687 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 控制电路 | ||
1.一种控制电路,所述的控制电路用于控制驱动功率半导体器件电路中输出级电路,所述的输出级电路包括为所述的功率半导体器件提供拉电流的第一PMOS管以及为所述的功率半导体器件提供灌电流的第一NMOS管,其特征在于,所述的控制电路包括第一反相器链模块、第二反相器链模块、第一驱动模块、第二驱动模块、第一箝位模块、第二箝位模块;
所述的第一反相器链模块的输出端分别与所述的第二反相器链模块的输入端、第一驱动模块的第一输入端以及第二驱动模块的第一输入端相连接;
所述的第二反相器链模块的输出端分别与所述的第一箝位模块的输入端、第二箝位模块的输入端、第一驱动模块的第二输入端以及第二驱动模块的第二输入端相连接;
所述的第一驱动模块的输出端和第二箝位模块的输出端同时与所述的第一PMOS管的栅极相连接,所述的第二驱动模块的输出端和第一箝位模块的输出端同时与所述的第一NMOS管的栅极相连接。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述的第一反相器链模块包括第一反相器,该第一反相器的输出端作为所述的第一反相器链模块的输出端。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述的第一反相器链模块还包括第二反相器,该第二反相器的输出端与所述的第一反相器的输入端相连接。
4.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述的第二反相器链模块包括至少二个级联的反相器,所述的第二反相器链模块中第一级的反相器的输入端作为所述的第二反相器链模块的输入端,所述的第二反相器链模块中最后一级的反相器的输出端作为所述的第二反相器链模块的输出端。
5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述的第二反相器链模块包括第三反相器和第四反相器,其中,所述的第三反相器作为所述的第二反相器链模块中第一级的反相器,所述的第四反相器作为所述的第二反相器链模块中最后一级的反相器。
6.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述的第一驱动模块包括第二NMOS管和第二PMOS管;
所述的第二PMOS管的栅极作为所述的第一驱动模块的第一输入端,所述的第二NMOS管的栅极作为所述的第一驱动模块的第二输入端;
所述的第二NMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极相连接,并共同作为所述的第一驱动模块的输出端;
所述的第二NMOS管的源极和第二PMOS管的源极均接地。
7.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述的第二驱动模块包括第三NMOS管和第三PMOS管;
所述的第三NMOS管的栅极作为所述的第二驱动模块的第一输入端,所述的第三PMOS管的栅极作为所述的第二驱动模块的第二输入端;
所述的第三NMOS管的漏极和第三PMOS管的漏极相连接,并共同作为所述的第二驱动模块的输出端;
所述的第三NMOS管的源极和第三PMOS管的源极均接地。
8.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,
所述的第一箝位模块包括第四NMOS管,该第四NMOS管的漏极作为所述的第一箝位模块的输入端、该第四NMOS管的栅极作为所述的第一箝位模块的输出端、该第四NMOS管的源极接地;
所述的第二箝位模块包括第四PMOS管,该第四PMOS管的漏极作为所述的第二箝位模块的输入端、该第四PMOS管的栅极作为所述的第二箝位模块的输出端、该第四PMOS管的源极接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润矽科微电子有限公司,未经无锡华润矽科微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811220839.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:动态调整背光键盘发光模式的方法
- 下一篇:印花装置