[发明专利]一种含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法

权利要求书

1.一种含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述起爆器包括：

作为反射背板的基片(1)；

Al/PTFE双层复合含能薄膜层：置于基片(1)之上，包括Al金属层(2)和PTFE层(3)，其中Al金属层(2)设置在基片(1)之上，包括焊盘(21)、过渡区(22)和Al桥箔(23)，焊盘(21)为两端最宽的部分，桥箔(23)为中间最窄的部分，焊盘(21)与Al桥箔(23)通过逐渐变窄的过渡区(22)相连；PTFE层(3)设置在Al金属层(2)之上，沉积在Al桥箔(23)上的PTFE层向过渡区(22)部分延伸；

聚合物飞片层(4)：设置在Al/PTFE双层复合含能薄膜层之上；

加速膛(5)：为一中空的圆柱，设置在聚合物飞片层(4)之上，位于Al桥箔(23)正上方，加速膛(5)的膛孔直径大于或等于Al桥箔(23)的边长；

药剂(6)：置于加速膛(5)的正上方。

2.根据权利要求1所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述基片(1)为陶瓷、金属或玻璃。

3.根据权利要求1所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述聚合物飞片层(4)为PC、PI或PMMA。

4.根据权利要求1所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述加速膛的膛孔直径为Al桥箔(23)边长的1倍、倍或2倍。

5.根据权利要求1所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述药剂(6)为点火药或高能猛炸药，形状为药柱或药片的形式，装药密度为理论密度的85％-95％。

6.根据权利要求1所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器，其特征在于，所述焊盘(21)尺寸为1.5-3mm×5mm-10mm，从Al桥箔(23)到焊盘(21)距离为5mm-6mm；PTFE层(3)厚度为2μm-4μm；聚合物飞片层(4)厚度为20μm-40μm；加速膛(5)高度为0.4mm-0.8mm；药柱尺寸为直径3mm-5mm×高度3mm-5mm。

7.一种制备权利要求1-6所述的含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器的方法，其特征在于，所述方法采用微机电系统工艺，具体包括如下步骤：

步骤一，清洗基片(1)；

步骤二，利用镀膜工艺制备Al金属层(2)；

步骤三，采用CVD、电子束蒸发或原位聚合方法制备PTFE层(3)；

步骤四，采用CVD、电子束蒸发或原位聚合方法制备聚合物飞片层(4)；

步骤五，制备加速膛(5)：在飞片层(4)上方、桥箔(23)正上方，通过匀胶、前烘、曝光、后烘及显影的工艺制备加速膛(5)；

步骤六，将经压药后的药剂(6)置于加速膛(5)正上方，即能制备出一种含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤一中清洗基片具体为在超声条件下，用去离子水、丙酮和乙醇依次对基片(1)表面进行清洗，直至表面被洗净为止。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的镀膜工艺具体为磁控溅射和湿法刻蚀工艺。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤五中，采用光刻工艺，使用SU-8光刻胶在聚合物飞片层(4)上方、Al桥箔(23)正上方制备中空圆柱形的SU-8胶加速膛(5)。