[发明专利]OLED阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201811222680.6 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109346622A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈良 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机层 吸收层 基板 底板 有机层 吸收水 制作 | ||
1.一种OLED阵列基板，其特征在于，包括：
一底板，所述底板上具有一OLED单元；
一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；
一有机层，设置在所述第一无机层上；
一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
一第二无机层，设置在所述无机吸收层上。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
4.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
6.一种制作OLED阵列基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一底板，所述底板上具有一OLED单元；
形成一第一无机层于所述OLED单元上；
形成一有机层于所述第一无机层上；
形成一无机吸收层于所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
形成一第二无机层于所述无机吸收层上。
7.根据权利要求6所述的制作OLED阵列基板的方法，其特征在于，所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
8.根据权利要求7所述的制作OLED阵列基板的方法，其特征在于，所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
9.根据权利要求7所述的制作OLED阵列基板的方法，其特征在于，所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
10.根据权利要求6所述的制作OLED阵列基板的方法，其特征在于，所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
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