[发明专利]低突波电流驱动电路和方法有效

专利信息
申请号: 201811222828.6 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN111132413B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 陈志宁;苏持恒;卢鸿文 申请(专利权)人: 茂达电子股份有限公司
主分类号: H05B45/32 分类号: H05B45/32
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁丽超;王红艳
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 低突波 电流 驱动 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种低突波电流驱动电路,其特征在于,包含:

脉波产生电路,配置以输出脉波信号;

光驱动电路,连接所述脉波产生电路以及输入电源,配置以从所述脉波产生电路接收所述脉波信号,并依序接收所述输入电源供应的充电电流以及辅助电流,其中所述充电电流以及所述辅助电流分别小于高突波电流值;

输出电感,所述输出电感的一端连接所述光驱动电路;

储能电容,所述储能电容的一端连接所述输出电感的另一端,所述储能电容的另一端接地,所述储能电容配置以接收所述充电电流,并在放电时基于所述充电电流供应放电电流;

开关组件,所述开关组件的一端连接在所述输出电感的另一端以及所述储能电容的一端之间;以及

发光组件,串联连接所述开关组件,所述发光组件与所述开关组件的串行电路并联所述储能电容,所述发光组件包含一或多个发光组件相互串联连接,所述发光组件的正极端连接所述开关组件的另一端,所述发光组件的负极端接地;

其中所述光驱动电路配置以在所述脉波信号的一个波形的位准到达参考位准时,允许所述充电电流通过所述光驱动电路流至所述储能电容以充电所述储能电容,直到所述储能电容电压等于所述输入电源的输入电压;

其中所述光驱动电路配置以在所述脉波信号的所述波形经过预定时间后的下一个波形的位准到达所述参考位准,并且所述储能电容放电时的所述放电电流依序流过而导通所述开关组件以及所述发光组件时,允许所述辅助电流通过所述光驱动电路依序流过所述开关组件以及所述发光组件,所述发光组件通过所述放电电流以及所述辅助电流发光;

其中所述充电电流以及所述辅助电流的总和等于所述高突波电流值。

2.根据权利要求1所述的低突波电流驱动电路,其特征在于,所述光驱动电路包含:

第一晶体管,具有第一主控端、第一电源输入端以及第一电源输出端,所述第一主控端连接所述脉波产生电路,所述第一电源输入端连接所述输入电源,所述第一电源输出端连接所述输出电感的一端;以及

第二晶体管,具有第二主控端、第二电源输入端以及第二电源输出端,所述第二主控端连接所述脉波产生电路,所述第二电源输入端接地,所述第二电源输出端连接所述第一电源输出端以及所述输出电感的一端。

3.根据权利要求2所述的低突波电流驱动电路,其特征在于,所述脉波产生电路配置以输出第一脉波信号至所述第一晶体管,以及输出第二脉波信号至所述第二晶体管,所述充电电流包含第一分路充电电流以及第二分路充电电流;

所述第一晶体管在所述第一脉波信号的一个波形的位准到达第一参考位准时,允许所述第一分路充电电流通过所述第一晶体管流至所述储能电容;

所述第二晶体管在所述第二脉波信号的一个波形的位准到达第二参考位准时,允许所述第二分路充电电流通过所述第二晶体管流至所述储能电容,直到所述储能电容的电压等于所述输入电源的所述输入电压。

4.根据权利要求3所述的低突波电流驱动电路,其特征在于,所述辅助电流包含第一分路辅助电流以及第二分路辅助电流;

所述第一晶体管在所述第一脉波信号的下一个波形的位准到达所述第一参考位准,并且所述储能电容放电时的所述放电电流导通所述开关组件以及所述发光组件时,允许所述第一分路辅助电流通过所述第一晶体管流至所述开关组件以及所述发光组件;

所述第二晶体管在所述第二脉波信号的下一个波形的位准到达所述第二参考位准时,并且所述储能电容放电时的所述放电电流导通所述开关组件以及所述发光组件时,允许所述第二分路辅助电流通过所述第二晶体管流至所述开关组件以及所述发光组件。

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