[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201811223700.1 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109698179B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 日野泰成 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/492;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其具备:
金属板;
半导体元件,其包含在表面设置的第1电极和在背面设置的第2电极,所述第2电极与所述金属板连接,使该半导体元件被保持于所述金属板之上;
配线板,其包含彼此相对的第1面及第2面,所述第1面以与所述半导体元件的所述第1电极相对的方式与所述第1电极连接;以及
导体,其具有板状的形状,一端配置为能够与外部连接,且另一端的一个面固定于所述配线板的所述第2面,使所述导体被配线到所述半导体元件的所述第1电极,
所述导体是没有形成镀敷外层的铜或含铜的合金,所述导体在所述另一端的所述一个面包含至少1个凸型的台阶,
所述导体包含的所述至少1个凸型的台阶的顶部,包含相对于所述配线板的所述第2面平行的接触面,
所述另一端的所述一个面处的所述接触面的周围包含相对于所述配线板的所述第2面空开空间且与所述配线板的所述第2面相对的平面,
通过使所述接触面和所述配线板的所述第2面密接,所述导体的所述另一端被固定于所述配线板的所述第2面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述导体在与所述一个面的所述至少1个凸型的台阶对应的另一个面的位置,包含凹型的台阶。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述导体包含在所述导体的所述接触面设置的贯穿孔。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述导体的所述接触面连续地沿所述贯穿孔的外周,与所述配线板的所述第2面密接。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述配线板的所述第1面和所述半导体元件的所述第1电极,或所述金属板和所述半导体元件的所述第2电极,经由包含Ag或者Cu的烧结材料或包含Sn以及树脂成分的接合材料进行连接。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
在所述半导体元件的所述第1电极和固定所述导体的所述配线板之间,还具备由金属构成的至少1个连接板。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述连接板和所述半导体元件的所述第1电极,或所述连接板和所述配线板,经由包含Ag、Cu或Sn且具有导电性的接合材料进行连接。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
还具备与所述导体不同的其它导体,该其它导体具有板状的形状,该其它导体的一端配置为能够与外部连接,且另一端的一个面固定于所述金属板的一个面,使该其它导体被配线到所述半导体元件的所述第2电极,
所述其它导体是没有形成镀敷外层的铜或含铜的合金,所述其它导体在所述另一端的所述一个面包含至少1个凸型的台阶,
所述其它导体包含的所述至少1个凸型的台阶的顶部,包含相对于所述金属板的所述一个面平行的接触面,
所述其它导体的所述另一端的所述一个面处的所述接触面的周围包含相对于所述金属板的所述一个面空开空间且与所述金属板的所述一个面相对的平面,
通过使所述其它导体的所述接触面和所述金属板的所述一个面密接,所述其它导体的所述另一端被固定于所述金属板的所述一个面。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述其它导体在与所述其它导体的所述一个面的所述至少1个凸型的台阶对应的另一个面的位置,包含凹型的台阶。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述其它导体包含在所述其它导体的所述接触面设置的贯穿孔。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,
所述其它导体的所述接触面连续地沿在所述其它导体的所述接触面设置的所述贯穿孔的外周,与所述金属板的所述一个面密接。
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