[发明专利]在用于原位测量的传感器晶片上的抗蚀涂层

权利要求书

1.一种传感器晶片，包括：

衬底；

附加于所述衬底的覆盖物；

定位于所述覆盖物和所述衬底之间的多个组件；以及

形成在所述覆盖物的一个或多个表面上以及所述衬底的一个或多个表面上的抗蚀涂层，其中所述覆盖物被布置在所述涂层的至少部分与所述衬底的至少部分之间，其中所述覆盖物不完全覆盖所述衬底的顶表面，其中所述抗蚀涂层形成于没有被所述覆盖物覆盖的所述衬底的所述顶表面的所有部分上，其中所述涂层经配置以抵抗蚀刻过程，所述蚀刻过程蚀刻所述覆盖物和/或衬底的时间比厚度与所述涂层相同或更大的标准薄膜材料更长，所述标准薄膜材料为二氧化硅、聚酰亚胺、氮化硅、旋涂式玻璃、光阻剂、氮化铝、或氮化钛，其中所述覆盖物附加于所述衬底的顶表面，其中所述抗蚀涂层不包含尺寸大于10微米的针孔，以及针孔浓度小于7针孔/平方厘米，其中所述多个组件包含一个或多个传感器以及除了所述一个或多个传感器以外的一个或多个电子组件，且其中所述一个或多个电子组件包含处理器、收发器、存储器、电池或其组合。

2.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层具有2微米或更小的厚度。

3.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层包括稀土氧化物层。

4.如权利要求3所述的传感器晶片，其特征在于，所述稀土氧化物包括氧化钇(Y₂0₃)。

5.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层不包含裂纹。

6.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层的寿命为至少10小时。

7.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层覆盖所述覆盖物的边缘和所述衬底的边缘。

8.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述覆盖物由半导体材料制成。

9.如权利要求8所述的传感器晶片，其特征在于，所述覆盖物由硅制成。

10.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述衬底由半导体材料制成。

11.如权利要求10所述的传感器晶片，其特征在于，所述衬底由硅制成。

12.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述一个或多个传感器包含温度传感器，且其中所述抗蚀涂层在蚀刻过程中以及所述抗蚀涂层的整个寿命期间是没有热干扰的。

13.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层不包含杂质金属。

14.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述一个或多个传感器包含RTD、热敏电阻、热电偶、压电传感器、压强换能器、流量传感器、湿度传感器、湿气传感器、化学成分传感器、离子电流密度传感器、位移传感器、或其组合。

15.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述衬底是整片未切割的晶片衬底。

16.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述抗蚀涂层涂覆所述覆盖物的上表面。

17.如权利要求1所述的传感器晶片，其特征在于，所述聚酰亚胺为旋涂式聚酰亚胺。