[发明专利]一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器

权利要求书

1.一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器，其特征在于，所述光谱探测器包括：衬底(1)、二维半导体(2)、源电极(3)、漏电极(4)、铁电材料(5)、栅电极(6)；所述衬底(1)的上表面设置有所述二维半导体(2)、所述源电极(3)、所述漏电极(4)，所述源电极(3)和所述漏电极(4)分别设置在所述二维半导体(2)的上表面的两端；所述源电极(3)和所述漏电极(4)均包括上层金属和下层金属，所述上层金属的厚度大于所述下层金属的厚度；所述二维半导体(2)的两侧分别与所述源电极(3)的下层金属和所述漏电极(4)的下层金属连接；所述铁电材料(5)设置在所述二维半导体(2)、所述源电极(3)和所述漏电极(4)的上表面；所述栅电极(6)的下表面与所述铁电材料(5)的上表面连接；

所述衬底(1)为超薄绝缘衬底，厚度小于2微米；

所述二维半导体(2)为过渡金属硫族化合物半导体，所述二维半导体(2)的层数为1层至10层分子。

2.根据权利要求1所述的一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器，其特征在于，所述源电极(3)和所述漏电极(4)的材料为铬、钛、镍、钯、钪、金、铂中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器，其特征在于，所述源电极(3)的下层金属的厚度为5-15纳米，所述源电极(3)的上层金属的厚度为30-50纳米。

4.根据权利要求1所述的一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器，其特征在于，所述铁电材料(5)为聚偏氟乙烯基有机铁电聚合物，所述铁电材料(5)的厚度为300-1200纳米。

5.根据权利要求1所述的一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器，其特征在于，所述栅电极(6)为高透光性超薄金属薄膜，所述栅电极(6)包括铝、铬、钛、镍中的任意一者，所述栅电极(6)在紫外到长波红外波段透光率大于50％。