[发明专利]一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法

权利要求书

1.一种塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：首先，采用氩气等离子体在电场作用下对塑料基体表面进行预处理；然后，利用碳等离子体持续溅射轰击塑料基体表面，在基体表面依次获得原位转变层与非晶碳膜，所述原位转变层包含塑料聚合物有机结构和非晶碳无机结构，即，实现塑料表面的有机结构向无机结构逐渐转变；

所述碳等离子体是碳靶经辉光放电作用下产生。

2.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：所述塑料基体材料包括聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯、聚醚醚酮、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三元共聚物中的一种或者几种。

3.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：对所述塑料基体表面进行预处理之前对塑料基体表面进行清洗处理。

4.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：塑料基体表面进行预处理之前，对腔体抽真空至真空度小于5.0×10^-3Pa。

5.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：所述氩气等离子体是氩气在离子束和辉光放电作用下产生。

6.如权利要求5所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：氩气流速为30～60sccm，阳极层离子束工作电压为500～1500V，偏压为300～1200V。

7.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法的方法，其特征是：碳等离子体磁控溅射电流为1.0～10.0A。

8.如权利要求1所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法的方法，其特征是：碳等离子体持续轰击塑料基体过程中，偏压为0～300V。

9.如权利要求1至8中任一权利要求所述的塑料基体表面形成非晶碳膜时提高非晶碳膜与塑料基体的结合力的方法，其特征是：通过控制碳等离子体轰击时间控制塑料表面的有机结构向无机结构逐渐转变。