[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及第一晶体管和第二晶体管，分别形成在第一区域和第二区域中。第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层。第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层。第一晶体管的阈值电压绝对值小于第二晶体管的阈值电压，第二栅极绝缘层不包括镧基材料，第一TiN层的一部分的氧含量大于第二TiN层的氧含量。

本申请要求于2018年1月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0002753号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括具有不同阈值电压的晶体管。具有不同阈值电压的晶体管的示例包括逻辑晶体管和静态随机存取存储器(SRAM)晶体管或动态随机存取存储器(DRAM)晶体管的组合。

同时，正在研究控制半导体器件中包括的晶体管的阈值电压的各种方法。

发明内容

发明构思的多方面提供一种包括具有不同阈值电压的多个晶体管的半导体器件。

然而，发明构思的多方面不限于这里所述的一方面。通过参考下面给出的发明构思的详细描述，对于发明构思所属领域的普通技术人员，发明构思的以上和其它方面将变得更加明显。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种半导体器件，半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及第一晶体管和第二晶体管，分别形成在第一区域和第二区域中。第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层，第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层。第一晶体管的阈值电压绝对值小于第二晶体管的阈值电压，第二栅极绝缘层不包括镧基材料，第一TiN层的一部分的氧含量大于第二TiN层的氧含量。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种半导体器件，半导体器件包括：基底，包括第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域和第六区域；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，分别形成在第一区域至第三区域中，第一晶体管至第三晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管；第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，分别形成在第四区域至第六区域中，第四晶体管至第六晶体管为n沟道金属氧化物半导体晶体管。第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层，第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层，第三晶体管包括位于基底上的第三栅极绝缘层、位于第三栅极绝缘层上且接触第三栅极绝缘层的第三TiN层以及位于第三TiN层上的第三填充层，第四晶体管包括位于基底上的第四栅极绝缘层、位于第四栅极绝缘层上且接触第四栅极绝缘层的第四TiN层以及位于第四TiN层上的第四填充层，第五晶体管包括位于基底上的第五栅极绝缘层、位于第五栅极绝缘层上且接触第五栅极绝缘层的第五TiN层以及位于第五TiN层上的第五填充层，第六晶体管包括位于基底上的第六栅极绝缘层、位于第六栅极绝缘层上且接触第六栅极绝缘层的第六TiN层以及位于第六TiN层上的第六填充层。第二TiN层的第二厚度小于第一TiN层的第一厚度且大于第三TiN层的第三厚度，第四TiN层的第四厚度和第五TiN层的第五厚度小于第六TiN层的第六厚度，第四栅极绝缘层包括镧基材料，第二栅极绝缘层不包括镧基材料。