[发明专利]调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法在审

专利信息
申请号: 201811227349.3 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN111073640A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 徐晓波;马卜;王允军 申请(专利权)人: 苏州星烁纳米科技有限公司
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;C09K11/06;C09K11/02;G02F1/13357
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 调控 钙钛矿 量子 聚合物 发射 峰峰 波长 方法
【权利要求书】:

1.一种调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,通过改变所述钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度来调控所述钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长;

所述钙钛矿量子点-聚合物膜包括钙钛矿量子点和聚合物基质,所述钙钛矿量子点分散在所述聚合物基质中;

所述钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度记为L;

所述钙钛矿量子点-聚合物膜在蓝光激发下的发射峰峰波长记为λ。

2.根据权利要求1所述的调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,通过增加厚度L来增加发射峰峰波长λ。

3.根据权利要求1所述的调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,通过减小厚度L来减小发射峰峰波长λ。

4.根据权利要求1至3中任一所述的调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,L大于等于10微米且小于等于400微米。

5.根据权利要求1中任一所述的调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,所述钙钛矿量子点为化学式1表示的化合物:

化学式1:[A][B][X]3,其中,在化学式1中,

A为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子或其任意组合,

B为至少一种二价无机阳离子,且

X为至少一种单价阴离子。

6.根据权利要求5所述的调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法,其特征在于,A为(R1R2R3C)+、(R1R2R3R4N)+、(R1R2R3R4P)+、(R1R2R3R4As)+、(R1R2R3R4Sb)+、(R1R2N=C(R3)-NR4R5)+、取代或未取代的环庚三烯、取代或未取代的含氮五元环的单价阳离子、取代或未取代的含氮六元环的单价阳离子、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Fr+或其任意组合,

R1至R5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基或-N(Q1)(Q2),

所述取代的环庚三烯、所述取代的含氮五元环的单价阳离子和所述取代的含氮六元环的单价阳离子的至少一个取代基选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基或-N(Q3)(Q4),且

Q1至Q4各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基或C6-C60芳基。

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