[发明专利]内部中空流道氮化铝陶瓷器件的制造方法在审
申请号: | 201811228113.1 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109400172A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 管军凯 | 申请(专利权)人: | 厦门钜瓷科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;B28B1/24;B28B7/18;B28B7/28;B28B7/34 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人: | 黄一敏 |
地址: | 361003 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化铝陶瓷 塑料件 内部中空 流道 球磨 喂料 表面活性剂 氮化铝粉末 稀土氧化物 填充模具 无水乙醇 中空流道 注射成形 烧结 热脱脂 粘结剂 包覆 成形 坯体 生胚 生坯 去除 模具 制造 | ||
本发明提供了一种内部中空流道氮化铝陶瓷器件的制造方法,包括:S1,提供塑料件,其中,所述塑料件具有内部中空流道;S2,将氮化铝粉末与稀土氧化物混合,并加入无水乙醇以及表面活性剂进行球磨,并将球磨后的粉末进行干燥并加入粘结剂,制得注射成形氮化铝陶瓷喂料;S3,将所述塑料件设置于模具中,并通过所述氮化铝陶瓷喂料填充模具其它型腔部位,成形的零件将所述塑料件包覆在内;S4,去除所述零件的塑料件,留下带中空流道的生胚;然后将所述生坯经过热脱脂后,进行烧结得到氮化铝陶瓷坯体。
技术领域
本发明涉及一种内部中空流道氮化铝陶瓷器件的制造方法。
背景技术
随着半导体、电力电子功率器件市场的发展,功率密度越来越大,对元器件的散热提出了更高的要求,同时要求其具有良好的绝缘性能,传统的金属散热元件多采用金属铜、铝作为散热材料,但是铜、铝属于良好的导体,其应用时需要在金属表面进行绝缘处理,表面涂覆一层绝缘层,造成界面热阻的增加,实际散热能力降低,其可靠性与散热性能降低,采用高导热陶瓷作为散热器件能很好的解决上述问题。但是,目前为止,现有技术中还没有一种制备内部中空流道氮化铝陶瓷器件,如散热器或加热器的方法。
发明内容
本发明提供了一种内部中空流道氮化铝陶瓷器件的制造方法,可以有效解决上述问题。
本发明是这样实现的:
一种内部中空流道氮化铝陶瓷器件的制造方法,包括以下步骤:
S1,提供塑料件,其中,所述塑料件具有内部中空流道;
S2,将氮化铝粉末与稀土氧化物混合,并加入无水乙醇以及表面活性剂进行球磨,并将球磨后的粉末进行干燥并加入粘结剂,制得注射成形氮化铝陶瓷喂料;
S3,将所述塑料件设置于模具中,并通过所述氮化铝陶瓷喂料填充模具其它型腔部位,成形的零件将所述塑料件包覆在内;
S4,去除所述零件的塑料件,留下带中空流道的生胚;然后将所述生坯经过热脱脂后,进行烧结。
作为进一步改进的,所述塑料件的材料为聚苯乙烯或聚甲醛塑料。
作为进一步改进的,在步骤S2中,所述无水乙醇的加入量为氮化铝粉末质量的1.5~3倍。
作为进一步改进的,在步骤S2中,所述表面活性剂的加入量为所述氮化铝粉末质量的0.2%-0.6%。
作为进一步改进的,在步骤S2中,所述稀土氧化物的加入量为所述氮化铝粉末质量的2%-8%。
作为进一步改进的,在步骤S2中,所述粘结剂的加入量为干燥后粉末总质量的20%~23%。
作为进一步改进的,所述塑料件的材料为聚苯乙烯,且在步骤S4中,所述去除所述零件的塑料件的步骤包括:
S41,通过将所述零件放置于二氯甲烷溶剂中进行浸泡,浸泡温度为35~45℃,使聚苯乙烯溶解于二氯甲烷中而去除。
作为进一步改进的,所述塑料件的材料为聚甲醛,且在步骤S4中,所述去除所述零件的塑料件的步骤包括:
S42,将所述零件放置于含有硝酸或草酸的催化脱脂炉中进行催化反应,反应温度为105~115℃,所述聚甲醛被硝酸或草酸蒸汽分解。
作为进一步改进的,在步骤S3中,所述通过所述氮化铝陶瓷喂料填充模具其它型腔部位的步骤包括:
S31,将氮化铝喂料在160~170℃,压力35~45MPa下,注入模具中,使所述氮化铝陶瓷喂料填充模具其它型腔部位。
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