[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201811228123.5 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109698219A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 朴庆泰;金政泰;曺成豪 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 姜香丹;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体图案 数据连接线 显示区域 显示面板 显示设备 虚设 连接线 同一数据 数据线 基板 绝缘层 传输数据信号 非显示区域 电连接 分段被 分段 俯视 外部 | ||
1.一种显示设备,包括:
显示面板,包括显示图像的显示区域、以及与所述显示区域相邻的非显示区域,
其中所述显示面板包括:
基板;
设置在所述基板上的多条数据线,在所述显示区域中;以及
在所述基板上,在所述非显示区域中:
数据连接线,被设置为多个,通过所述数据连接线从所述显示面板的外部向所述显示区域传输数据信号,所述数据连接线被电连接到所述显示区域中的所述多条数据线;
虚设半导体图案,分别设置在所述基板与所述数据连接线中的每条数据连接线之间;以及
第一绝缘层,设置在所述虚设半导体图案与所述数据连接线之间,
其中:
所述虚设半导体图案中的每个虚设半导体图案包括布置在所述基板与所述数据连接线之中的同一数据连接线之间的多个半导体图案分段,在俯视平面图中,所述多个半导体图案分段被布置为沿着所述同一数据连接线彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
对于同一数据连接线,与所述同一数据连接线对应的所述多个半导体图案分段在所述多条数据线的长度延伸的第一方向上彼此间隔开,并且
对于相邻数据连接线,所述相邻数据连接线的所述多个半导体图案分段在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,在所述数据连接线之中,
在每条数据连接线内,在所述俯视平面图中,所述每条数据连接线的第一部分与所述多个半导体图案分段重叠,并且所述每条数据连接线的第二部分设置在沿着所述第一方向彼此间隔开的所述多个半导体图案分段之间,并且
沿着所述第二方向,所述第二部分与所述多个半导体图案分段交替。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中:
所述数据连接线的长度在相对于所述多条数据线延伸的所述第一方向的倾斜方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
所述数据连接线包括多条第一数据连接线和多条第二数据连接线,所述多条第一数据连接线和所述多条第二数据连接线在与所述多条数据线的长度延伸的第一方向交叉的第二方向上彼此交替,并且
所述显示面板进一步包括:
第二绝缘层,设置在沿着所述第二方向彼此交替的所述多条第一数据连接线与所述多条第二数据连接线之间,以及
第三绝缘层,将所述多条第二数据连接线设置在所述第三绝缘层与所述第二绝缘层之间。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述显示面板在所述显示面板的所述显示区域中进一步包括:
晶体管,用所述晶体管将所述数据信号之中的数据信号提供给所述显示区域;
存储电容器;
所述晶体管的半导体层,在所述基板与所述第一绝缘层之间;
所述晶体管的第一电极和所述存储电容器的第一电极,在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间;以及
所述存储电容器的第二电极,在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间。
7.根据权利要求5所述的显示设备,其中:
所述多个半导体图案分段包括:多个第一半导体分段,与所述多条第一数据连接线重叠;以及多个第二半导体分段,与所述多条第二数据连接线重叠,并且
以与所述多个第一半导体分段的电平不同的电平来对所述多个第二半导体分段进行掺杂。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,在沿所述第二方向彼此交替的所述多条第一数据连接线和所述多条第二数据连接线之中,
在每条第一数据连接线内,在所述俯视平面图中,所述每条第一数据连接线的第一部分与所述多个第一半导体分段重叠,并且所述每条第一数据连接线的第二部分设置在所述多个第一半导体分段之间,并且
沿着所述第二方向,所述第一数据连接线的所述第二部分分别直接与所述多个第二半导体分段相邻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的