[发明专利]具有开关装置的功率半导体模块以及功率半导体装置在审
申请号: | 201811228265.1 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109712949A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 约尔格·阿蒙;哈拉尔德·科波拉 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/32 | 分类号: | H01L23/32;H01L23/367;H01L21/603 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨靖;车文 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 金属弹簧 功率半导体模块 功率半导体器件 第一区域 功率半导体装置 加压装置 加压体 法向 膜系 主面 背离 压力传递面 面对基板 施加压力 压力传递 对齐 施加力 | ||
1.具有开关装置(10)的功率半导体模块(1),所述开关装置具有基板(2)、功率半导体器件(26)和膜系(3),并且所述功率半导体模块还具有以能沿所述基板(2)的法向方向(N)运动的方式构造的加压装置(5),其中,所述基板(2)具有导电的导体迹线(22a、22b),其中,所述功率半导体器件(26)布置在所述基板(2)的第一导体迹线(22a)上并且与所述第一导体迹线导电接触,其中,所述膜系(3)具有上下堆叠布置的至少一个导电的膜和至少一个不导电的膜(31、32),其中,所述膜系(3)具有面对所述基板(2)的第一主面(300)和背离所述基板(2)的第二主面(320),其中,所述膜系(3)与所述功率半导体器件(26)导电接触,其中,所述加压装置(5)具有加压体(51)和第一金属弹簧(52a),其中,所述加压体(51)在朝向所述基板(2)的方向上向所述第一金属弹簧(52a)施加力(F),其中,所述第一金属弹簧(52a)在朝向所述功率半导体器件(26)的方向上经由所述第一金属弹簧(52a)的面对所述第二主面(320)的第一区域(322)的压力传递面(52a‘)向所述第二主面(320)的第一区域(322)施加压力,并且在此,所述第二主面(320)的第一区域(322)和所述第一金属弹簧(52a)的压力传递面(52a‘)沿所述基板(2)的法向方向(N)在所述功率半导体器件(26)的背离所述基板(2)的第一面(26a)上方与所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)对齐地布置。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一压力传递面(52a‘)在所述基板(2)的法向方向(N)上的投影中完全布置在所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)之内。
3.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述膜系(3)具有不导电的第二膜(32)和布置在所述第二膜(32)上的导电的第一膜(31)并且具有导电的第三膜(33),其中,所述第二膜(32)布置在所述第一膜与所述第三膜(31、33)之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,在所述第二主面(320)的第一区域(322)与所述第一金属弹簧(52a)之间布置有第一压力分布体(53a)。
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一压力分布体(53a)在所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)的至少60%,尤其至少80%,尤其至少95%上分布所述第一金属弹簧(52a)的压力。
6.根据权利要求4或5所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一压力分布体(53a)是不导电的。
7.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述膜系(3)通过如下方式与所述功率半导体器件(26)导电接触:所述膜系(3)与所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)材料锁合地导电连接,或者所述膜系(3)通过所述第一金属弹簧(52a)的压力压靠到所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)上并且由此与所述功率半导体器件(26)的第一面(26a)导电地压力接触。
8.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体器件(26)通过如下方式与所述第一导体迹线(22a)导电接触:所述功率半导体器件(26)的面对所述第一导体迹线(22a)的第二面(26b)与所述第一导体迹线(22a)材料锁合地导电连接,或者所述功率半导体器件(26)的面对所述第一导体迹线(22a)的第二面(26b)通过所述第一金属弹簧(52a)的压力压靠到所述第一导体迹线(26b)上并且由此与所述第一导体迹线(22a)导电地压力接触。
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