[发明专利]非易失性存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成多个隔离结构于一基板中，其中所述多个隔离结构突出于该基板的一顶表面，且形成一凹陷区于相邻的所述多个隔离结构之间；

顺应性地形成一导电层于所述多个隔离结构及该基板上；

顺应性地形成一牺牲层于该导电层上，其中位于该凹陷区中的该牺牲层定义出一凹部；

进行一第一化学机械研磨工艺，以部分地移除该牺牲层，且暴露出位于所述多个隔离结构上方的该导电层，其中所述多个隔离结构的顶表面不低于该凹部底部的该牺牲层的顶表面；

进行一第二化学机械研磨工艺，以部分地移除暴露的该导电层，且暴露出所述多个隔离结构的顶表面，其中所述多个隔离结构的顶表面不低于该凹部底部的该牺牲层的顶表面，且进行该第二化学机械研磨工艺之前，未暴露出所述多个隔离结构的顶表面；以及

进行一第三化学机械研磨工艺，以完全移除该牺牲层，其中在第三化学机械研磨工艺之后，该导电层的一顶表面齐平于所述多个隔离结构的顶表面。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一化学机械研磨工艺对该导电层与该牺牲层具有一第一研磨选择性，该第二化学机械研磨工艺对该导电层与该牺牲层具有一第二研磨选择性，且该第一研磨选择性不同于该第二研磨选择性。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该第二化学机械研磨工艺对该导电层与该牺牲层具有一第二研磨选择性，该第三化学机械研磨工艺对该导电层与该牺牲层具有一第三研磨选择性，且该第二研磨选择性不同于该第三研磨选择性。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在该第三化学机械研磨工艺中，该导电层的研磨速率对该牺牲层的研磨速率的比率为1.0-1.1。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在该第二化学机械研磨工艺中，该导电层的研磨速率对该牺牲层的研磨速率的比率为50-1000。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在该第一化学机械研磨工艺中，该导电层的研磨速率对该牺牲层的研磨速率的比率为0.1-10.0。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在该第一化学机械研磨工艺之后，该牺牲层具有一U型的剖面轮廓。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该牺牲层的厚度为2-40nm。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在形成该导电层之后且在停止该第三化学机械研磨工艺之前，不进行图案化工艺。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该凹陷区的宽度对该导电层的第一厚度与该牺牲层的第二厚度的总和的比率为大于2。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于：

该第一化学机械研磨工艺使用一第一研磨液，且该第一研磨液为酸性；

该第二化学机械研磨工艺使用一第二研磨液，且该第二研磨液为碱性；以及

该第三化学机械研磨工艺使用一第三研磨液，且该第三研磨液为酸性。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，更包括：

在该第二化学机械研磨工艺中，检测电流的变化；

当该电流的变化大于一预定值时，停止该第二化学机械研磨工艺。