[发明专利]量子点、发光材料及量子点的制造方法

说明书

本发明提供一种量子点、发光材料及量子点的制造方法。量子点在特征波长的发光强度与吸收强度的比值在1.5×10⁸至2.0×10⁹每秒记数/吸收度(CPS/Abs.)的范围中。特征波长为量子点的发光峰的最大值的一半所对应到的两个波长中的较小者。

技术领域

本发明涉及一种发光材料，尤其涉及一种量子点、发光材料及量子点的制造方法。

背景技术

量子点是一种半导体发光材料，其能隙(band gap)可随晶粒大小而改变。如此一来，可通过改变量子点的尺寸而调整其发光的波长。量子点具有高的色彩纯度与饱和度，故近年来已逐渐被应用在显示面板的技术中。量子效率(quantum yield)为量子点的重要参数之一，其代表量子点将吸收的光转化为荧光的效率。因此，如何提升量子点的量子效率为此领域中的重要课题之一。

发明内容

本发明提供一种量子点，具有较高的量子效率。

本发明提供一种发光材料，含有较高的量子效率的量子点。

本发明提供一种量子点的制造方法，可降低量子点的自吸收。

本发明的量子点在特征波长的发光强度与吸收强度的比值在1.5×10⁸至2.0×10⁹每秒记数/吸收度(CPS/Abs.)的范围中。上述的特征波长为所述量子点的发光峰的最大值的一半所对应到的两个波长中的较小者。

在本发明的一实施例中，上述的量子点可具有球形的轮廓。

在本发明的一实施例中，上述的量子点的长宽比范围可为0.7至1.3。

在本发明的一实施例中，上述的量子点由外而内可包括外壳与内核。外壳覆盖所述内核的表面。

在本发明的一实施例中，上述的量子点的形成方法可包括进行对量子点的热处理。热处理的温度比量子点的外壳的形成温度高出摄氏15度(15℃)至75℃，且所述热处理的时间的范围为3分钟至7分钟。

在本发明的一实施例中，内核的直径的范围可为7.0纳米(nm)至9.0nm，且外壳的厚度的范围可为1.0nm至3.0nm。

在本发明的一实施例中，量子点在特征波长的发光强度与吸收强度的比值在2.0×10⁸至1.0×10⁹CPS/Abs.的范围中。

在本发明的一实施例中，量子点的发光峰的半高宽(full width at halfmaximum,FWHM)为31.0nm至35.0nm。

本发明的发光材料包括载体、上述的量子点以及封止层。量子点附着在载体的表面。封止层包覆附着有量子点的载体。

本发明的量子点的制造方法包括下列步骤。提供包括第12族元素、第13族元素或第14族元素的第一溶液。提供包括第15族元素或第16族元素的第二溶液。混合第一溶液与第二溶液，以形成第三溶液。将包括第12族元素、第13族元素或第14族元素的材料以及包括第15族元素或第16族元素的第四溶液加入至第三溶液，以形成包括量子点的第五溶液。对第五溶液进行热处理，其中热处理的温度比形成包括量子点的第五溶液的温度高出15℃至75℃，且热处理的时间的范围为3分钟至7分钟。

在本发明的一实施例中，热处理的温度比形成包括量子点的第五溶液的温度高出20℃至50℃。

在本发明的一实施例中，进行热处理后量子点的直径与进行热处理前量子点的直径的比值的范围可为1.0至1.3。

在本发明的一实施例中，量子点可包括内核与外壳。进行热处理后外壳的厚度与进行热处理前外壳的厚度的比值的范围可为1.0至1.6。