[发明专利]一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于所述方法步骤如下：

步骤一、清洗衬底；步骤二、制备缓冲层，制备方法包括：磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积、电子束蒸发等方法来实现。

其中脉冲激光沉积制备缓冲层的具体步骤如下：(1)、把氧化镓靶材安装在脉冲激光沉积靶上，然后把步骤一清洗好的衬底放置于真空室的控制台上，开始抽真空至一定真空度，并加热衬底至一定温度，通入溅射气体，使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、用挡板遮住衬底，在一定功率的脉冲激光条件下进行预沉积一定时间，打开衬底挡板，在一定功率的脉冲激光条件下进行正式沉积一定时间，得到一定厚度的氧化镓薄膜缓冲层；

步骤三、制备氧化镓薄膜的方法包括：磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积，电子束蒸发等方法来实现。其中脉冲激光沉积氧化镓薄膜的具体步骤如下：(1)、用挡板遮住衬底，将步骤二得到的氧化镓薄膜缓冲层加热至一定温度，加热过程中，一直保持溅射气体的通入，使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、打开衬底挡板，在一定功率的脉冲激光条件下进行沉积一定时间，得到一定厚度高透光率的氧化镓薄膜。

2.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其清洗衬底的方法为：依次用乙醇超声清洗5分钟、丙酮超声清洗5分钟、去离子水清洗5分钟。

3.根据权利要求1所述的制备高透光率氧化镓薄膜的方法为磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积等方法来实现。

4.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤二中所述的温度为一定温度。

5.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤二中所述的真空室的压力保持在一定压强。

6.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤二中所述的溅射气体为氧气。

7.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤三中所述的在缓冲层加热至一定温度进行脉冲激光沉积氧化镓薄膜。

8.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤三中所述的真空室的压力保持在一定压强。

9.根据权利要求1所述的增加缓冲层制备高透光率氧化镓薄膜的方法，其特征在于步骤三中所述的在一定功率的脉冲激光条件下进行沉积一定时间。