[发明专利]一种非闪烁量子点及其制备方法和量子点发光二极管

权利要求书

1.一种非闪烁量子点，包括核体、包覆于所述核体表面的内壳层和包覆于所述内壳层表面的外壳层；所述核体由CdSe或Cd_mZn_1-mSe形成，其中，0<m<1；

所述内壳层由ZnSe形成，所述外壳层由ZnO形成。

2.如权利要求1所述的非闪烁量子点，其特征在于，所述核体的粒径为2.5～6.0nm；所述内壳层的厚度为0.32～4.8nm；所述外壳层的厚度为0.31～1.24nm。

3.如权利要求1或2所述的非闪烁量子点，其特征在于，所述非闪烁量子点为CdSe@xZnSe-yZnO或Cd_mZn_1-mSe@xZnSe-yZnO；

所述x为层数，其取值范围为1<x<15；所述y为层数，其取值

范围为0<y<4。

4.权利要求1～3任一项所述的非闪烁量子点的制备方法，包括以下步骤：

提供核体材料的分散液、内壳层材料源的分散液和外壳层材料源的分散液；所述核体材料包括CdSe或Cd_mZn_1-mSe，其中，0<m<1；所述内壳层材料源为锌源和硒源的混合物；所述外壳层材料源为锌源和硫源的混合物，或者为锌氧源；

在无氧条件下，将所述内壳层材料源的分散液以1～20mL/h的速率滴加至所述核体材料的分散液中，在所述核体材料的表面原位生长内壳层材料，得到中间体的分散液；所述中间体包括核体和包覆于所述核体表面的内壳层；

在无氧条件下，将所述外壳层材料源的分散液以1～20mL/h的速率滴加至所述中间体的分散液中，在所述中间体的表面原位生长外壳层材料，得到非闪烁量子点。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述内壳层材料和外壳层材料的生长温度独立的为240～350℃，所述内壳层材料和外壳层材料的生长时间独立的为1～5h。

6.一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、非闪烁量子点发光层、电子传输层和顶电极；

或包括依次层叠设置的基底、底电极、电子传输层、非闪烁量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；

所述非闪烁量子点发光层由非闪烁量子点形成，所述非闪烁量子点为权利要求1～3任一项所述的非闪烁量子点或利用权利要求4～5任一项所述的制备方法制备得到的非闪烁量子点。

7.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的制备原料为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐、二甲亚砜掺杂的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐、石墨烯掺杂的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐或山梨醇掺杂的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐。

8.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的制备原料为聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚[(9，9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺]、聚(9-乙烯基咔唑)、三(4-咔唑-9-基苯基)胺，4,4'-二(9-咔唑)联苯，N,N'-双-(1-奈基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺、间苯二咔唑、MoO₃、NiO、V₂O₅和WO₃中的一种或几种。

9.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的制备原料为ZnO、SnO、TiO₂、ZrO₂、Li、Al、Mg、Cs、In、Ga、Zr和8-羟基喹啉铝中的一种或几种。

10.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述顶电极的制备原料为Al、Ag或Au。