[发明专利]变流器中IGBT开关状态的检测方法、装置、电路

说明书

本发明公开一种变流器中IGBT开关状态的检测方法、装置、电路。该方法包括：获得变流器中直流母线的负端与预设节点之间的差分电压，其中节点位于变流器中同相位的第一IGBT和第二IGBT之间；将差分电压分别与预设的第一电压阈值和预设的第二电压阈值进行比较，得到比较结果；根据比较结果，判断第一IGBT和第二IGBT的开关状态。采用本发明实施例中的技术方案，能够对变流器中IGBT的实际开关状态进行有效检测。

技术领域

本发明涉及一种变流器中IGBT开关状态的检测方法、装置、电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由GTR和MOSFET组成的复合全控型电压驱动的电力电子器件，具有通流能力强、开关速度快、驱动功率小和驱动电路简单等优点，已经成为变流器的核心部件。变流器运行调制过程中，IGBT栅极接受驱动控制器的控制命令开通或者关断。在一示例中，栅极接收到高电平，IGBT处于导通状态，接收到低电平，IGBT处于截止状态。

但是，由于IGBT存在控制死区和最小开通脉冲的限制，使得驱动控制器输出的IGBT开关矢量和IGBT的实际开关状态不一致，不能够确定IGBT是否执行了栅极的控制命令，影响变流器的安全稳定运行，因此，对IGBT的实际开关状态进行有效检测成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种变流器中IGBT开关状态的检测方法、装置、电路，能够对IGBT的实际开关状态进行有效检测。

第一方面，本发明实施例提供一种变流器中IGBT开关状态的检测方法，该方法包括：

获得变流器中直流母线的负端与预设节点之间的差分电压，其中预设节点位于变流器中同相位的第一IGBT和第二IGBT之间；

将差分电压分别与预设的第一电压阈值和预设的第二电压阈值进行比较，得到比较结果；

根据比较结果，判断第一IGBT和第二IGBT的开关状态。

在第一方面的一种可能的实施方式中，在获得变流器中直流母线的负端与预设节点之间的差分电压之前，该方法还包括：在第一IGBT和第二IGBT之间设置预设节点；当第一IGBT导通且第二IGBT截止时，检测预设节点的电压，并根据检测到的预设节点的电压确定第一电压阈值。

在第一方面的一种可能的实施方式中，第一电压阈值大于1/2×U1，且小于第一IGBT导通、第二IGBT截止且预设节点电流输出方向为正时的预设节点的电压，其中U1为直流母线的正端与负端之间的差分电压。

在第一方面的一种可能的实施方式中，在获得变流器中直流母线的负端与预设节点之间的差分电压之前，该方法还包括：在第一IGBT和第二IGBT之间设置预设节点；当第二IGBT导通且第一IGBT截止时，检测预设节点的电压，并根据检测到的预设节点的电压确定第二电压阈值。

在第一方面的一种可能的实施方式中，第二电压阈值小于1/2×U1，且大于第一IGBT截止、第二IGBT导通且预设节点电流输出方向为负时的预设节点的电压，其中U1为直流母线的正端与负端之间的差分电压。

在第一方面的一种可能的实施方式中，根据比较结果判断第一IGBT和第二IGBT的开关状态，包括：若比较结果为差分电压大于第一电压阈值，则第一IGBT的开关状态为导通，第二IGBT的开关状态为截止；若比较结果为差分电压小于第二电压阈值，则第一IGBT的开关状态为截止，第二IGBT的开关状态为导通。