[发明专利]三维存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，包括：

形成包括多个导电条带的一脊状叠层，这些导电条带是沿着一第一方向叠层于一基材上且沿着一第二方向延伸；

形成一存储层，该存储层是沿着一第三方向叠层于该脊状叠层的一垂直侧壁上；

形成一通道层，该通道层是沿着该第三方向叠层于该存储层的侧壁上，且具有沿着该第一方向延伸的长边的一窄侧壁；

形成一覆盖层，该覆盖层在该第一方向中叠层于该脊状叠层上，该覆盖层覆盖该存储层与该通道层；以及

形成一导电连接层，该导电连接层沿着该第二方向叠层于该窄侧壁上；

其中，该第一方向与该第二方向可形成一第一非平角，该第三方向与该第一方向可形成一第二非平角，该第三方向与该第二方向可形成一第三非平角。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该通道层的步骤包括：

进行一沉积工艺以形成叠层于该存储层、该基材与该脊状叠层的一顶表面上的一导电层；以及

在形成该覆盖层之前移除一部分的该导电层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括形成一绝缘材料层的步骤以及形成一导电本体的步骤，该绝缘材料层是沿着该第三方向叠层于该导电层上；该导电本体是通过填充一第一导电材料于该绝缘材料层的一浅沟道中，在该第一方向中叠层于该绝缘材料层上。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括进行一开口刻蚀工艺，以在形成该覆盖层之后移除部分的该存储层、该导电层及该绝缘材料层，以形成至少一开口；其中该覆盖层是在进行该开口刻蚀工艺之前覆盖该导电本体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成该导电连接层的步骤包括：

形成一槽口，该槽口是通过移除部分的该通道层沿着该第一方向延伸，且该窄侧壁是作为该槽口的底部；

沉积一第二导电材料于该开口及该槽口中；以及

其中该导电连接层是作为源极区域或漏极区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中该脊状叠层还包括多个绝缘条带，这些绝缘条带是沿着该第一方向交替叠层于这些导电条带，这些导电条带具有对应于该开口的该第三方向中的一第一宽度，这些绝缘条带具有对应于该开口的该第三方向中的一第二宽度，该第一宽度小于该第二宽度。

7.一种三维存储器，包括：

一脊状叠层，该脊状叠层包括多个导电条带，这些导电条带是沿着一第一方向叠层于一基材上且沿着一第二方向延伸；

一存储层，该存储层是沿着一第三方向叠层于该脊状叠层的一垂直侧壁上；

一通道层，该通道层是沿着该第三方向叠层于该存储层的侧壁上，且具有沿着该第一方向延伸的长边的一窄侧壁；

一覆盖层，该覆盖层在该第一方向中叠层于该脊状叠层上，该覆盖层覆盖该存储层与该通道层；以及

一导电连接层，该导电连接层沿着该第二方向叠层于该窄侧壁上；

其中，该第一方向与该第二方向可形成一第一非平角，该第三方向与该第一方向可形成一第二非平角，该第三方向与该第二方向可形成一第三非平角。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，还包括：

一绝缘材料层，该绝缘材料层是沿着该第三方向叠层于该通道层上；以及

一导电本体，该导电本体在该第一方向中叠层于该绝缘材料层上。

9.根据权利要求7所述的三维存储器，其中该脊状叠层还包括多个绝缘条带，这些绝缘条带是沿着该第一方向交替叠层于这些导电条带，这些导电条带具有对应于一开口的该第三方向中的一第一宽度，这些绝缘条带具有对应于该开口的该第三方向中的一第二宽度，该第一宽度小于该第二宽度，其中该开口穿过部分的该存储层、该通道层、该绝缘材料层及该覆盖层。

10.根据权利要求7所述的三维存储器，还包括：

一接触结构，配置于该导电连接层上，其中该接触结构是通过该覆盖层所环绕；以及

一导线，电性连接于该接触结构。