[发明专利]一种高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备及其镀膜方法

权利要求书

1.一种高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备，包括真空镀膜室，其特征在于：所述真空镀膜室内设有薄膜卷绕装置、隔板、离子源放电装置、磁控溅射装置和金属铝热蒸发装置，所述薄膜卷绕装置包括沿着走膜路线的放卷辊、若干前过渡辊、冷却辊、若干后过渡辊和收卷辊，所述真空镀膜室包括由隔板分隔开的上腔室和下腔室，所述下腔室的真空度高于上腔室，所述离子源放电装置和磁控溅射装置置于上腔室内、邻近于薄膜卷绕装置且沿着走膜路线方向前后设置，所述金属铝热蒸发装置置于下腔室内，所述放卷辊、前过渡辊、后过渡辊和收卷辊置于上腔室内，所述冷却辊一部分置于上腔室内，另一部分置于下腔室内。

2.根据权利要求1所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备，其特征在于：所述离子源放电装置采用的离子源为大宽幅条形离子源。

3.根据权利要求1所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备，其特征在于：所述磁控溅射装置采用的电源为直流电源或中频电源或者射频电源，在基材表面沉积过渡层金属所述磁控溅射装置，采用的过渡层金属主要为金属铬或不锈钢或者金属钛，过渡层金属的厚度为5nm～50nm。

4.根据权利要求1所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备，其特征在于：所述上腔室的气压范围值为10^-1Pa～1Pa，所述下腔室的气压范围值为10^-3Pa～10^-2Pa。

5.根据权利要求1至4任一项所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其具体步骤是：

(1)将塑料薄膜基材穿模工作：

(2)将镀膜室抽本地真空；

(3)启动薄膜卷绕装置；

(4)离子源表面放电预处理工序；

(5)磁控溅射金属过渡层工序；

(6)金属铝热蒸发工序；

(7)塑料薄膜镀膜工作完成。

6.根据权利要求5所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其特征在于：

所述步骤(1)的塑料薄膜基材的穿模工作具体是：沿着走膜路线依次安装于薄膜卷绕装置的放卷辊、若干前过渡辊、冷却辊、若干后过渡辊和收卷辊，塑料薄膜基材经过离子源表面放电预处理区域、磁控溅射的方式沉积过渡金属层区域和金属铝热蒸发区域的走膜路线实现穿膜，完成穿膜准备工作。

7.根据权利要求5所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其特征在于：

所述步骤(2)的本底真空的具体步骤是：关闭真空腔室，通过真空泵组抽本底真空至10^-3Pa～10^-2Pa。

8.根据权利要求5所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其特征在于：所述步骤(4)所述的离子源表面放电预处理工序是：通过大宽幅条形离子源放电处理，辅助放电气体为惰性气体，放电气压为0.1Pa～1Pa，设定电流为0.5A～1.5A。

9.根据权利要求5所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其特征在于：

所述步骤(5)的磁控溅射金属过渡层工序采用的电源为直流电源或中频电源或射频电源，采用磁控溅射镀膜方式，在基材表面沉积过渡层金属，过渡层金属为金属铬或金属钛或不锈钢；过渡层金属的厚度为5nm～50nm。

10.根据权利要求5所述的高附着铝热蒸发卷绕镀膜设备的镀膜方法，其特征在于：

所述步骤(6)的金属铝热蒸发工序，采用大电流电阻丝热蒸发方式，金属铝的热蒸发温度为1000℃～1200℃。