[发明专利]氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法

权利要求书

1.氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

步骤1，制备氧化镍凝胶薄膜；

所述步骤1的具体过程如下：

步骤1.1，配置氧化镍溶胶；

步骤1.2，采用浸渍-提拉法将步骤1.1所得的氧化镍溶胶在ITO底电极上进行陈化，得氧化镍凝胶薄膜；

步骤1.3，将步骤1.2所得的氧化镍凝胶薄膜在室温下进行干燥，即得；

步骤2，在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜，得氧化钛/氧化镍基片；

所述步骤2中氧化钛/氧化镍基片的制备过程为：

步骤2.1，配置氧化钛溶胶；

步骤2.2，采用浸渍-提拉法将步骤2.1所得的氧化钛溶胶在步骤1所得的氧化镍凝胶薄膜上陈化氧化钛凝胶膜，然后在干燥箱内进行干燥，得氧化钛/氧化镍基片；

步骤3，在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；

所述步骤3的具体过程如下：

采用浸渍-提拉法在步骤2所得的氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，然后在热处理炉中进行650~750℃热处理，热处理时间为20~25分钟，然后取出自然冷却，即得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；

步骤4，使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备，即得。

2.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤1.1中，氧化镍溶胶的配置过程为：将醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸及乙二醇甲醚按1:1:1:24的摩尔比混合。

3.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤2.1配置氧化钛溶胶的具体过程如下：

采用钛酸丁酯作为前驱体，乙醇为溶剂，钛酸丁酯:乙醇:水的物质的量之比为1:20:1；使用硝酸调节Ph值为4~5，在室温下均匀搅拌6~8h，并陈化20~24h，得氧化钛溶胶。

4.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤4的具体过程如下：打开溅射仪，将氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜样品放入，固定好掩膜板，然后打开溅射仪电源，进行抽气，当真空度达到1*10^-3Pa后可对其进行顶电极的溅射。

5.根据权利要求4所述的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，其特征在于：溅射靶材为Pt，纯度为99.9%，溅射时间为5~6min，溅射好的Pt层为氧化钛/氧化镍复合薄膜电阻存储器薄膜的顶电极。