[发明专利]石墨烯谐振式模数转换器有效
申请号: | 201811231074.0 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109347455B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 邢维巍;马翠萍;樊尚春;韦祎 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H03H3/007 | 分类号: | H03H3/007;H03H9/02;H03H9/24;H03M1/12 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;卢纪 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 谐振 式模数 转换器 | ||
本发明公开了一种石墨烯谐振式模数转换器,由驱动电路、调制机构、石墨烯梁、拾振器、反馈电路、激振器、测频电路、解算装置组成,输入被测模拟量,输出数字量。驱动电路将输入的模拟量转换为中间信号。调制机构在中间信号控制下产生调制力,即作用于石墨烯梁上的轴向力。拾振器感受振动参数,产生拾振信号。反馈电路输入拾振信号,输出激振信号。激振器在激振信号控制下产生激振力,即作用于石墨烯梁上的法向力。测频电路测量谐振频率。解算装置将谐振频率的测量值代入换算函数进行计算,取所得的值即为石墨烯谐振式模数转换器输出的数字量。本发明能够有效地提高稳定性,拓宽工作温度范围,可实现较高的抗辐照性能。
技术领域
本发明属于模数转换器(ADC)技术领域,具体涉及一种石墨烯谐振式模数转换器。
背景技术
1.本发明的需求背景
本发明主要面向特殊领域的高性能测控系统或精密测量仪器。这些系统要求高质量处理中低频(30kHz~3MHz)模拟量,有时也处理高频(3MHz~30MHz)信号。对于ADC,要求兼顾交流性能和直流性能,可工作于宽温度范围(如-55℃~+125℃或更宽)。随着需求的发展,越来越倾向于在ASIC(应用定制集成电路)中内置ADC。某些场合还希望有一定的抗辐照指标要求。这类系统一般为半定制或面向行业用户的系列化产品,数量上属于中小批量,重在性能,允许略高的成本。
2.传统ADC技术现状与问题
传统ADC主要包括Pipeline、Sigma-Delta、SAR等结构,都属于开关电容电路,因此都使用集成电容器和MOS开关。根据具体结构,还可能用到模拟比较器或运算放大器。在测量绝对量值(而不是相对比例)的场合,还必须使用足够精确的电压基准。
ADC的直流性能指标包括分辨率(位数)、精度(零点和满量程误差)、稳定性(零点和满量程漂移)、非线性(INL、DNL)等,交流性能指标包括转换时间、采样率、SFDR等。电压基准的主要性能指标包括精度(初始误差)、稳定性(漂移)、噪声等。
影响ADC转换结果的因素包括:(1)元件自身,如集成电容器(精度、充放电特性)、MOS开关(电荷注入、导通电阻、漏电流),运算放大器(输入失调、输入电流、漂移、压摆率),模拟比较器(失调、输入电流、速度);(2)关键元件的匹配精度;(3)原理设计与具体参数,如电容阵列规模、流水线级数、充放电电流、特殊技术措施(如利用电感加速充放电)等;(4)电压基准的性能。
其中,集成电容器通常由金属电极与二氧化硅绝缘介质构成,其特性受到边缘效应、介质tanδ参数、介质漏电流、杂散电容等众多物理因素的影响;运算放大器、模拟比较器和MOS开关均以MOS晶体管为基本元件,其性能从根本上受到MOS晶体管的栅-源效应、沟道效应和载流子迁移率等物理因素的影响;元件匹配精度依赖于版图技巧和工艺精度;阵列规模受成本、杂散电容、引线阻抗等因素制约;充放电电流受功耗、局部热效应等因素制约;电压基准的温度漂移是由带隙电路的物理规律决定的,由于带隙电路与补偿电路的温度曲线公式不同,本质上无法完全消除。
以下用具体数据说明问题。
针对本发明的需求背景,ADC的选型区间为20Msps~100Msps/14bit~16bit。流行的工业SoC处理器(如STM32系列)的片内ADC达不到要求,只考虑单片式高性能ADC产品。典型型号包括ADI公司的AD9265和Maxim公司的MAX19588。它们的INL优于3LSB甚至2LSB,零点漂移优于±2ppm/℃,满量程漂移优于±15ppm/℃,晶体管数量为108量级,采用0.18μm级别的工艺。这些产品的单价为百美元量级,如果要处理很多路信号,成本较可观。
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