[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板（1）、遮光层（2）以及薄膜晶体管；其特征在于，所述遮光层（2）上形成有一开口向上的凹槽（21），且所述薄膜晶体管位于所述凹槽（21）内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层（2）由金属遮光材料或绝缘非金属遮光材料制备而成。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅材料、有色一元/复合金属氧化物材料和/或黑色有机材料；所述金属遮光材料包括Mo、Cr、Ti、Ni及Mo-Ti。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层（3）、栅绝缘层（4）、栅极（5）、间绝缘层（6）、源极（7）及漏极（8）。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板；

步骤S2、在所述基板上制备出遮光层，且使得所述遮光层上形成有一开口向上的凹槽；

步骤S3、在所述遮光层的凹槽内制备出薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

在所述基板的上表面溅射一层金属遮光材料形成具有一定厚度的金属膜层，并在该金属膜层上表面涂抹正向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm~460nm的UV光通过透光率为25%的半透明光罩对正向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S2还进一步包括：

在所述基板的上表面涂抹一定厚度的绝缘非金属遮光材料，并在该绝缘非金属遮光材料上表面涂抹反向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm~460nm的UV光通过透光率为25%的半透明光罩对反向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极及漏极。