[发明专利]一种高平衡性的反向片上电容对结构在审
| 申请号： | 201811233799.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109522608A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 侯德彬;李焕波;严蘋蘋;陈继新;洪伟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L23/64 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 平衡性 片上变压器 不对称性 差分电路 匹配网络 片上电容 能量转化效率 功率放大器 毫米波频段 电路性能 电容单元 反向放置 寄生效应 联合优化 连接方式 输出功率 无源器件 无源网络 阻抗匹配 二端口 高频段 高频率 拓展性 并联 衬底 串联 电路 敏感 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：包括一对反向放置的电容单元。
2.根据权利要求1所述的高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：所述电容单元为金属-氧化物-金属结构。
3.根据权利要求1所述的高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：电容单元以串联的方式连接起来。
4.根据权利要求1所述的高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：电容单元以并联的方式连接起来。
5.根据权利要求1所述的高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：所述电容单元由金属层和二氧化硅层层叠而成。
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