[发明专利]一种电子级多晶硅还原炉底盘及还原炉在审
| 申请号： | 201811234470.9 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109133066A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 何银凤;刘铭;李有斌;梁世民;韩金豆;张胜涛 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;贾珍珠 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 进气环 底盘 进气口 还原炉底盘 电极环 电子级多晶硅 第二电极 第一电极 出气环 口径 同心圆 多晶硅产品 圆心 单位能耗 电极形成 反应气体 间隔布置 炉体上部 气流分布 依次设置 有效减少 圆盘结构 不一致 出气口 还原炉 停滞区 炉内 相等 搭配 | ||
1.一种电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，包括底盘、由若干电极形成的电极环、由若干进气口形成的进气环及由若干出气口形成的出气环，所述底盘为圆盘结构，所述电极、进气口及出气口均设于所述底盘上，形成的所述电极环、进气环和所述出气环均是以底盘的中心为圆心的同心圆，所述电极环至少包括由内至外依次设置的第一电极环和第二电极环，所述进气环至少包括设于所述第一电极环和所述第二电极环之间的第一进气环，所述第一进气环上的若干进气口的口径不完全相等。
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述电极环中位于外圈的电极环上的电极数量多于位于内圈的电极环上的电极数量。
3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述电极包括9对，其中，3对所述电极等间距排布于所述第一电极环上，剩余6对所述电极等间距排布于所述第二电极环上。
4.根据权利要求1所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述出气环至少包括位于所述第二电极环外圈的第一出气环，所述第一出气环上间隔排布有s个出气口，其中s为大于等于4的整数。
5.根据权利要求1～4任一所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述第一进气环上设排布有n个进气口，其中，n为大于等于4的偶数，所述n个进气口包括具有第一口径的第一进气口和具有第二口径的第二进气口，所述第一进气口和所述第二进气口交替间隔排布，所述第一口径大于所述第二口径。
6.根据权利要求5所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述进气环还包括位于所述第一电极环内圈的第二进气环，所述第二进气环上排布有m个具有第三口径的第三进气口，其中，m为大于等于1的整数。
7.根据权利要求6所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，所述第三口径与所述第二口径相等。
8.根据权利要求6所述的电子级多晶硅还原炉底盘，其特征在于，当所述m等于1时，所述第三进气口位于所述底盘的中心位置。
9.一种还原炉，用于生产多晶硅，其特征在于，其包括如权利要求1～8任一所述的电子级多晶硅还原炉底盘。
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