[发明专利]一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法

权利要求书

1.一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、霍山石斛共生菌次生代谢产物的获得

在野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质，用无菌水浸泡3小时后，用双层纱布过滤，取滤液用微生物万能培养基摇瓶培养12小时；之后静置2小时取上清液备用；

步骤二、营养培养基的制作

用1/2MS培养基添加土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液，PH调至5.8即得所述营养培养基；

步骤三、种子处理

选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒；

步骤四、接种方法

在无菌操作的环境下，用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部，然后用镊子夹住果荚的上端，将果荚里面的种子均匀的撒到营养培养基上面，结束后盖好盖子，用手轻轻拍打瓶子，使种子与营养培养基充分接触；

步骤五、培养方法

将接种好的培养瓶，放置在培养架上，温度设定为为26～28℃，避光培养一周，然后放置在光照强度为2500lux，温度为25℃的培养架上培养10天，种子即可萌发发绿，25±1天后即可作增殖或者诱导。

2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述营养培养基的制备方法为：先准备好干净的组培瓶、瓶盖并进行灭菌工作，按照配方准备好各种原材料；将天然复合物、琼脂各自煮开后均匀的混合在一起；按照营养培养基的配方将1/2MS培养基、土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液混合成培养液，调节培养液的pH至5.8-6.0即得到所述营养培养基；对营养培养基进行灭菌、分装、存放、记录。

3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述营养培养基放入灭菌锅内部采用湿热灭菌法进行灭菌，即灭菌锅内部的温度为121℃，灭菌锅内部的气压为0.11Mpa，灭菌时间为20min。

4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述土豆泥的添加量为50g/L。

5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述琼脂的添加量为5g/L。

6.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述葡萄糖的添加量30g/L。

7.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液的添加量为5ml/L。

8.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于：所述微生物万能培养基为LB培养基。