[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件和制造方法。具体地，本公开涉及一种半导体器件封装件和制造方法，其包括至少两个半导体裸片。

背景技术

与两个单独的半导体器件相比，将两个半导体裸片集成到单个封装好的半导体器件中可以显著减小器件占用面积。半导体裸片可以是例如以半桥配置布置的晶体管。

例如在晶体管是场效应晶体管的情况下，在半桥配置中，必须使用外部连接件将第一MOSFET的源极连接到第二场效应晶体管的漏极，所述外部连接件通常设置在附接有晶体管的载体或印刷电路板上。该连接件可以产生感应回路，这可以减慢器件的切换。

布置在半桥中的两个单独的晶体管器件可以占用宝贵的电路板空间，并且从源极到漏极的连接件也可以引起大的感应回路并且可以减慢器件的切换。

发明内容

根据实施例，提供一种半导体器件，包括：第一半导体裸片和第二半导体裸片，其布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一半导体裸片和第二半导体裸片分别包括布置在相应的所述半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应的所述半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，其布置在相应的所述第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的所述第三接触；以及第一接触连接构件，其从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸到第二载体的所述裸片连接部分，使得所述第一半导体裸片的所述第一接触电连接到所述第二半导体裸片的所述第三接触。

根据实施例，所述第一接触连接构件可以从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成所述半导体器件的外部引线。所述第一接触连接构件可以与所述半导体器件的外部引线一体形成。

可选地，第三连接构件可以从所述第二半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成半导体器件的相应的外部引线。

可选地，至少一个连接部分可以从所述第一载体和第二载体中的每一个延伸，以形成所述半导体器件的相应的外部引线。

根据实施例，所述第一接触连接构件可以是引线夹，所述引线夹包括：第一部分，其用于连接至所述第一半导体裸片的所述第一接触；第二部分，其用于连接至第二载体的所述裸片连接部分；以及导电部分，其将所述第一部分和所述第二部分连接。所述导电部分可以相对于所述第一部分和所述第二部分升高。

根据实施例，所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片可以被布置为半桥电路。所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片可以是场效应晶体管，并且所述第一接触可以是源极接触；所述第二接触可以是栅极接触；以及所述第三接触可以是漏极接触。所述第一半导体裸片可以是高侧场效应晶体管，并且所述第二半导体裸片可以是低侧场效应晶体管。

根据实施例，所述第三接触连接构件可以是分叉的。