[发明专利]一种纳米Ag嵌入式电极材料的电化学制备法

权利要求书

1.一种纳米Ag嵌入式电极材料的电化学制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）取钴的可溶性盐溶解于一定量的去离子水中，去离子水的用量为钴盐摩尔量的5-10倍，磁力搅拌，混合均匀后，制得溶液A；

（2）取银的可溶性盐溶解于一定量的去离子水中，去离子水的用量为银盐摩尔量的10-20倍，加入银盐摩尔量30-50倍的氨水溶液，磁力搅拌，混合均匀后，制得溶液B；

（3）取银盐摩尔量2-3倍的十二胺加入到小分子量醇中，其中小分子量醇的用量为银盐摩尔量的5-10倍，待其完全混合后将其与溶液B混合均匀，超声处理10-20min；加入银盐摩尔量5-8倍的十二烷基硫酸钠，混合均匀后，超声处理10-20min，制得溶液C；

（4）以1cm×1cm ITO导电玻璃作为工作电极，Pt电极作为对电极，饱和甘汞电极(SCE)作为参比电极，通过电沉积法在A溶液中制备原始Co₃O₄纳米片阵列，电沉积一段时间后，用去离子水和乙醇小心地漂洗ITO电极3-5次，然后将样品在400-500℃煅烧1-2小时，使其转化成D Co₃O₄的纳米片；

（5）将长有D纳米片的ITO作为工作电极插入到C溶液中，Pt电极作为对电极，电沉积一段时间后，用去离子水和乙醇小心地漂洗几次，吹干形成嵌入银的Ag/ Co₃O₄电极；

（6）反复步骤（4）和（5）沉积1-10次，形成多层纳米Ag嵌入式电极材料；

制备出的材料具有多孔孔道，比表面积大，形貌新颖，具有纳米维度超结构链接的催化材料，用于能源转化与存储领域、催化领域；

制备的纳米Ag嵌入式电极材料为疏松的花瓣形，银以尺度10纳米分散在的Co₃O₄纳米片层中。

2.如权利要求1所述的电化学制备方法，其特征在于，所述钴的可溶性盐为硝酸盐、醋酸盐、氯化盐中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的电化学制备方法，其特征在于，所述银的可溶性盐为硝酸盐、醋酸盐中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的电化学制备方法，其特征在于，所述的磁力搅拌，搅拌转速为500r/min-800r/min。

5.如权利要求1所述的电化学制备方法，其特征在于，所述氨水的浓度为25%。

6.如权利要求1所述的电化学制备方法，其特征在于，所述小分量醇为甲醇、乙醇、丙醇、丁醇中的一种或几种。