[发明专利]积体电路

说明书

本发明的实施例提供用于一种积体电路。积体电路包含具有第一级和第二级的驱动电路。驱动电路配置成提供过驱动电压。积体电路还包含耦合在第一级与第二级之间的电荷泵电路。电荷泵电路配置成产生大于过驱动电压的动态电压。积体电路还包含耦合到电荷泵电路的自举电路，自举电路配置成进一步对驱动电路的过驱动电压进行动态升压。

技术领域

本公开的实施例中所描述的技术大体上涉及电子元件，且更具体地说，涉及高侧积体驱动电路。

背景技术

通过氮化镓(Gallium Nitride；GaN)高电子迁移率电晶体(High ElectronMobility Transistors；HEMT)来实施的高侧积体驱动电路允许各种电路的高功率吞吐量。HEMT具有包含离散功率电晶体的驱动操作的各种应用。

发明内容

本发明的实施例提供一种积体电路，包括：驱动电路，具有第一级以及第二级，所述驱动电路配置成提供过驱动电压；电荷泵电路，耦合在所述第一级与所述第二级之间，配置成产生大于所述过驱动电压的动态电压；以及自举电路，耦合到所述电荷泵电路，配置成增大所述驱动电路的所述过驱动电压。

附图说明

结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本公开的各种实施例的第一示例性半导体元件的示意图。

图2是根据本公开的各种实施例的第二示例性半导体元件的示意图。

图3是根据本公开的各种实施例的第三示例性半导体元件的另一示意图。

图4是根据本公开的各种实施例的电荷泵电路的示意图。

图5是根据本公开的各种实施例的图4的电压倍增器的示意图。

图6是示出根据本公开的各种实施例的图4的环形振荡器的输出处的时钟发生器的示意电路图。

图7是示出根据本公开的各种实施例的图4的环形振荡器的示意电路图。

图8是根据本公开的各种实施例的第四示例性半导体元件的另一示意图。

图9是根据本公开的各种实施例的第五示例性半导体元件的另一示意图。

图10是根据本公开的各种实施例的第六示例性半导体元件的另一示意图。

图11是根据本公开的各种实施例的驱动功率电晶体的第一示例性方法的流程图。

附图标号说明

100、200、300、900、1000：半导体元件；

110：源极电压引脚；

120a、120b：高侧参考电压引脚；

130：输入电压引脚；

140：高电压电源引脚；

150、160：自举电路；

150a：自举电压引脚；

170：驱动电路；

170a～170d、310、510、520、530、540、550、610a～610c、620a～620c、640、750、870a～870c：级；

180、1080：电荷泵电路；

180a：电荷泵电压引脚；

190：自举电容器；

195：功率电晶体；