[发明专利]半导体发光用的氮化物荧光粉及其制备方法和发光装置有效
申请号: | 201811236895.3 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109370588B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 林金填;陈磊;蔡金兰;李超;邱镇民;罗伟 | 申请(专利权)人: | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/50 |
代理公司: | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 方良 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物荧光粉 发光装置 制备 半导体 发光 大功率LED器件 发光材料 化学通式 热稳定性 光效 应用 | ||
1.一种氮化物荧光粉,所述氮化物荧光粉应用于大功率LED器件,其特征在于,所述氮化物荧光粉的化学通式为A3-x-y-zMxD6(N11-xCx/2):(yCe,zR);其中,
A为La和Lu,且La和Lu的摩尔比为(4-10):1,
M选自Ca、Sr和Ba中的至少一种,
D选自Si、Ge、Ti、Se和Hf中的至少一种,且D包括Si;以D的摩尔百分含量为100%计,Si的摩尔含量为80-90%,
R选自Pr、Tb、Nd和Dy中的至少一种,
且0.001≤x≤2,0.005≤y≤0.2,0.001≤z≤0.1。
2.如权利要求1所述的氮化物荧光粉,其特征在于,所述氮化物荧光粉的化学通式中,M为Ca;和/或
R为Pr和/或Tb。
3.如权利要求1所述的氮化物荧光粉,其特征在于,所述氮化物荧光粉的化学通式中,D选自Si、Ge、Ti、Se中的至少一种,且D包括Si。
4.如权利要求3所述的氮化物荧光粉,其特征在于,D为Si和Ge,或者D为Si和Se。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的氮化物荧光粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将第一A的氮化物、第一D的氮化物和CeN混合,在N2和H2的还原下,进行第一烧结处理,得到中间体;
将第二A的氮化物、第二D的碳化物、M的氮化物和R的氮化物或氟化物加入所述中间体中,在C还原气氛下,进行第二烧结处理,得到所述氮化物荧光粉;
其中,所述第一A的氮化物和所述第二A的氮化物的A总摩尔量,所述第一D的氮化物和所述第二D的氮化物的D总摩尔量,分别为所述氮化物荧光粉的化学通式中A和D的摩尔量。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述第一A的氮化物中的A元素与所述CeN中Ce元素的摩尔量之和与所述第一D的氮化物中的D元素的摩尔量之比为1:3;和/或
所述第一烧结处理的温度为1300-1500℃,时间为5-7h;和/或
所述第二烧结处理的温度为1500-1700℃,时间为7-9h。
7.一种发光装置,包括激发光源和被所述激发光源激发的荧光物质,其特征在于,所述荧光物质为权利要求1-4任一项所述的氮化物荧光粉或权利要求5或6所述的制备方法得到的氮化物荧光粉。
8.如权利要求7所述的发光装置,其特征在于,所述激发光源为发射波长范围为330~480nm的半导体芯片。
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