[发明专利]高光效的氟氧化物荧光粉及其制备方法和半导体发光装置有效
| 申请号： | 201811236903.4 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109280551B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 林金填;陈磊;蔡金兰;李超;邱镇民;罗伟 | 申请（专利权）人： | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;H01L33/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光粉 氟氧化物 半导体发光装置 高光效 制备 发光材料 发光效率 化学通式 可调控 光色 | ||
1.一种氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式为AxM2-xD1-y-zSeyF6-xOx:zMn4+；其中，A选自Ba、Mg、Sr和Zn的中的至少一种，M选自Li、Na和K中的至少一种，D选自Si、Ge和Ti中的至少一种，且0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.1，0.01≤z≤0.2。
2.如权利要求1所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，A为Ba。
3.如权利要求1所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，M为K和Na；和/或
D为Ge，或为Si和Ge。
4.如权利要求3所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，K和Na的摩尔比为(9-16):1。
5.如权利要求1-4任一项所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，D为Si和Ge，且Si和Ge的摩尔比为1:(6-8)。
6.如权利要求1-4任一项所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，0.05≤z≤0.1。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的氟氧化物荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将A的氟化物、M的氟化物或氧化物、Mn的氟化物或氧化物分别溶于HF中，得到第一溶液、第二溶液和第三溶液；
将D的氟化物溶于HF酸中，形成H2DF6溶液；
将H2SeO3溶液与所述H2DF6溶液、第一溶液、第二溶液和第三溶液混合后，加入H2O2，进行加热处理，得到所述氟氧化物荧光粉。
8.一种半导体发光二极管，包括依次层叠设置的基板、蓝光芯片和荧光粉胶层，其特征在于，所述半导体发光二极管还包括柔性荧光玻璃层，所述柔性荧光玻璃层包覆所述蓝光芯片和荧光粉胶层、且无缝连接在所述基板上，所述柔性荧光玻璃层含有权利要求1-6任一项所述的氟氧化物荧光粉或权利要求7所述的制备方法得到的氟氧化物荧光粉。
9.如权利要求8所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述蓝光芯片的发射峰值位于440-470nm之间。
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