[发明专利]一种氧化硅和氧化镁复合材料及其合成方法

权利要求书

1.一种氧化硅/氧化镁复合材料，所述复合材料以氧化镁为核层，以氧化硅为壳层。

2.按照权利要求1所述的氧化硅/氧化镁复合材料，其特征在于：所述复合材料中，核层直径为0.5～3μm；壳层厚度为10～200nm。

3.按照权利要求1所述的氧化硅/氧化镁复合材料，其特征在于：所述复合材料比表面积为10～30m²/g。

4.一种氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，所述合成方法包括如下内容：

（1）将氧化镁与小分子醇溶剂混合，混合均匀后加入pH缓冲液；

（2）在搅拌条件下，向步骤（1）得到的物料中加入硅源，混合均匀后静置处理；

（3）步骤（2）得到的物料经洗涤、干燥和热处理后得到氧化硅/氧化镁复合材料。

5.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：所述的氧化镁的粒度范围为0.5～3μm。

6.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：所述氧化镁采用如下方法进行制备：将镁盐、氨水和水混合，混合均匀后放入反应釜中处理，经分离、洗涤和干燥后得到氧化镁。

7.按照权利要求6所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：所述的镁盐为六水氯化镁或六水硝酸镁。

8.按照权利要求6所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：镁盐、氨水、水的质量比为1：2～11：0.5～1.6，优选1：3～10：0.6～1.5。

9.按照权利要求6所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：所述的氨水浓度为25wt%。

10.按照权利要求6所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：所述处理温度为100～180℃，优选为110～170℃；处理时间为4～20h，优选5～18h。

11.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述的小分子醇溶剂是碳原子数为C2-C4的醇。

12.按照权利要求4或11所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述的小分子醇溶剂是乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇中的一种或几种。

13.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述小分子醇溶剂与氧化镁的质量比为5～40：1，优选10～30：1。

14.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述混合处理采用搅拌、超声波处理中的一种或几种，优选采用搅拌和超声波处理组合方式，更优选采用先搅拌然后在超声波混合的方法。

15.按照权利要求12所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：超声波的频率为15KHz-10MHz，功率按溶液体积计为20～100W/L，搅拌时间为0.1～2h，优选0.2～1.8h；超声时间为1～6h，优选2～5h。

16.按照权利要求4所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述pH缓冲液的pH值为4～6，优选为4.5～5.8。

17.按照权利要求4或14所述氧化硅/氧化镁复合材料的合成方法，其特征在于：步骤（1）中所述pH缓冲液是磷酸二氢钠-柠檬酸pH缓冲液，醋酸钠pH缓冲液，苯二甲酸氢钾-氢氧化钠pH缓冲液中的一种或多种，优选为磷酸二氢钠-柠檬酸pH缓冲液。