[发明专利]钙钛矿量子点复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将钙钛矿原料组分分散到有机溶剂中，获得钙钛矿前驱物分散液；

S2、将织物介质充分浸渍在所述钙钛矿前驱物分散液中，获得钙钛矿前驱物预浸介质；

S3、将所述钙钛矿前驱物预浸介质铺覆于光学膜上，停留预定时间后，再将预浸介质从光学膜上移去；

S4、对S3中移去预浸介质的光学膜进行去溶剂处理，得到钙钛矿量子点复合膜。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，S3中，将所述钙钛矿前驱物预浸介质铺覆于光学膜上并配合施压工艺，停留预定时间后，再将预浸介质从光学膜上移去。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述施压工艺为弹性按压工艺。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，S4中，所述去溶剂处理包括烘干处理、低温抽真空处理中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述织物介质的织物材质为棉质或者纤维；

优选地，所述织物介质为无纺织织物；

更优选地，所述织物介质为工业无纺布。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿原料组分包括钙钛矿原料第一组分和钙钛矿原料第二组分，所述钙钛矿原料第一组分的分子式结构为AX，所述钙钛矿原料第二组分的分子式结构为BX₂，其中，A为胺类有机基团、苄基、无机金属离子中的至少一种；B为Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺中的任意一种；X为卤素离子，包括Cl^-、Br^-、I^-中至少一种；

所述有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、磷酸三乙酯、三甲基磷酸酯、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基乙酰胺、丁内酯、丙酮、丁酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿原料第一组分与所述钙钛矿原料第二组分的物质的量的比为(6:1)～(1:6)。

8.根据权利要求6所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂与所述钙钛矿原料第二组分的质量比为(1:0.002)～(1:0.1)。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，所述光学膜为高分子膜，所述高分子膜的高分子材质选自聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、丙烯腈丁二烯、聚酰亚胺、芳香聚酰胺、醋酸纤维素、聚醋酸乙烯酯中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，其特征在于，S3中，所述预定时间不少于5s。