[发明专利]用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关有效

专利信息
申请号: 201811241325.3 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN110098833B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 赵炳学;金正勳;河宗钰 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03K19/173 分类号: H03K19/173;H03K17/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 钱海洋;金光军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 双模 操作 控制 缓冲器 电路 射频 开关
【说明书】:

本公开提供一种用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关,所述控制缓冲器电路包括:电压检测电路,被配置为检测接收到的电压是负电压还是地电压并且基于所述检测的结果提供电压检测信号;以及缓冲器电路,被配置为:基于所述电压检测信号提供开关信号,其中,所述开关信号包括作为导通电平电压的正电压并且包括作为截止电平电压的所述地电压和所述负电压中的一个或更多个。

本申请要求于2018年1月30日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0011199号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关。

背景技术

通常,支持各种频带的功率放大器模块(PAM)可包括选择多个频带的射频(RF)开关、滤波器以及对RF信号进行放大的多个功率放大器(PA)。

PAM的RF开关可根据PA和滤波器的配置而在形状方面不同,并且由于PA通常被设计为处理包括多个频带的宽带通信,因此可将具有一个输入端口和多个输出端口的单极多掷(SPMT)开关用作RF开关。

一个PAM通常包括多个单极双掷(SPDT)开关。一些SPDT开关可将负电压用作用于断开路径的截止电平电压和用于处理高功率信号的隔离,而其他SPDT开关可在处理低功率信号时将零电压(或地电压)用作截止电平电压而不使用负电压。

然而,由于典型的PAM包括使用不同的截止电平电压的SPDT开关,并且使用不同的截止电平电压的SPDT开关分别通过不同制造工艺生产,所以SPDT开关的制造成本可能会增加并且PAM的制造成本可能会因此而增加。

发明内容

提供本发明内容是为了以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的构思的选择。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面,一种控制缓冲器电路包括:电压检测电路,被配置为:检测接收到的电压是负电压还是地电压,并且基于所述检测的结果提供电压检测信号;以及缓冲器电路,被配置为:基于所述电压检测信号提供开关信号,其中,所述开关信号包括作为导通电平电压的正电压并且包括作为截止电平电压的所述地电压和所述负电压中的一个或更多个。

所述缓冲器电路可被进一步配置为:基于所述电压检测信号和频带选择信号生成所述开关信号。

所述电压检测电路可被进一步配置为:当所述接收到的电压是所述负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述接收到的电压是所述地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。

所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路,所述第一缓冲器电路被配置为:生成根据所述电压检测信号和所述频带选择信号的第一频带选择信号确定的第一开关信号。

所述第一缓冲器电路可包括:负电压(VNEG)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及地电压(VSS)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。

所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路至第n缓冲器电路,所述第一缓冲器电路至第n缓冲器电路被配置为:生成第一开关信号至第n开关信号,所述第一开关信号至第n开关信号是基于所述电压检测信号以及所述频带选择信号的第一频带选择信号至第n频带选择信号确定的。

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