[发明专利]大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构

权利要求书

1.大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于：当积分完成后，传输管导通，则光生电荷从光电二极管区域转移至浮空扩散节点区域，采用光电二极管区域横向浓度梯度变化的工艺，通过对光电二极管区域N型掺杂的不同浓度的离子注入，注入次数n视具体的感光区域尺寸大小而定，即随着离传输管距离的减小，N型离子注入浓度越来越大；当传输管导通时，从光电二极管区域到浮空扩散节点区域的电势分布，从左往右逐渐增加，形成自右向左的电场，加速光生电子的转移，消除光电二极管内部的势垒和势阱，从而实现光生电子的快速完全转移。