[发明专利]大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构在审
申请号: | 201811241575.7 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN111092089A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 徐江涛;王瑞硕;史兴萍;李凤;夏梦真 | 申请(专利权)人: | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 面积 电荷 快速 转移 cmos 图像传感器 像素 结构 | ||
1.大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构,其特征在于:当积分完成后,传输管导通,则光生电荷从光电二极管区域转移至浮空扩散节点区域,采用光电二极管区域横向浓度梯度变化的工艺,通过对光电二极管区域N型掺杂的不同浓度的离子注入,注入次数n视具体的感光区域尺寸大小而定,即随着离传输管距离的减小,N型离子注入浓度越来越大;当传输管导通时,从光电二极管区域到浮空扩散节点区域的电势分布,从左往右逐渐增加,形成自右向左的电场,加速光生电子的转移,消除光电二极管内部的势垒和势阱,从而实现光生电子的快速完全转移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的