[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

各自沿纵向延伸的源电极、栅电极和漏电极；

绝缘膜，其至少覆盖所述栅电极并在所述栅电极和所述漏电极之间延伸；

场板，其具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述栅电极重叠，所述绝缘膜插入在所述第一部分与所述栅电极之间，所述第二部分不与所述栅电极重叠并在所述栅电极和所述漏电极之间的所述绝缘膜上延伸；以及

源极互连件，其与所述源电极电连接并从所述源电极延伸，

其中，所述第一部分和所述第二部分与所述源极互连件电连接，

所述半导体装置还包括有源区和围绕所述有源区的无源区，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极存在于所述有源区中，

其中，所述栅电极在所述无源区中的所述源电极的外侧区域中具有延伸部分，所述延伸部分被所述场板的所述第一部分覆盖并被所述第二部分围绕，所述绝缘膜插入在所述延伸部分和所述场板的所述第一部分之间，

其中，所述场板在其所述第一部分和所述第二部分在所述源电极的所述外侧区域中与所述源极互连件接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述场板的所述第一部分与所述第二部分彼此物理隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述源电极和所述漏电极具有沿其纵向的矩形平面形状，

其中，所述场板在所述源电极的所述外侧区域中沿纵向的宽度宽于在所述源电极和所述漏电极之间的区域中沿与所述纵向交叉的横向的宽度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中，所述栅电极的厚度为0.3μm至0.7μm，所述场板的厚度为0.1μm至0.3μm。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中，所述绝缘膜的厚度为0.1μm至0.3μm。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中，所述源极互连件的厚度为4μm至6μm。