[发明专利]一种R-Fe-B类烧结磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体中间体，其特征在于，包括钕铁硼磁体黑片、复合在其表面的RAH合金层以及复合在RAH表面的无机涂层。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述钕铁硼磁体的通式为R₁-Fe-B-M；

所述RAH合金层的厚度为5～650μm；

所述无机涂层的厚度为5～500μm；

所述RAH合金层占所述钕铁硼磁体中间体的质量比为0.11％～1％；

所述无机涂层占所述钕铁硼磁体中间体的质量比为0.01％～1％。

3.根据权利要求2所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述R₁包括Pr和Nd；

所述M包括Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种；

所述钕铁硼磁体中包括26wt％～35wt％的R₁、0.8wt％～1.2wt％的B、0～4wt％的M和余量的Fe；

所述钕铁硼磁体黑片的厚度为1～20mm。

4.根据权利要求2所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述R₁还包括Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种；

所述RAH为重稀土合金；

所述R包括Dy和/或Tb；

所述A包括Al、Cu、Zn、Cr、Co、Ti、Zr、Mo、Mg、Sn和Ga中的一种或多种；

所述H为氢元素。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述无机涂层的材质包括氧化硅、碳酸钙、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氧化锌、氧化铜、氧化铁、氧化锆、氧化钨、氧化钛、氧化钴、碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化硼、碳化硅、硅酸钠、硅酸钙、硅酸镁和稀土氧化物的一种或多种；

所述RAH中包括75wt％～98wt％的R、2wt％～25wt％的A以及小于等于2wt％的H。

6.一种钕铁硼磁体，其特征在于，由权利要求1～5任意一项所述的钕铁硼磁体经过热处理后得到。

7.根据权利要求6所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体表面复合有RAH，或者元素R、A和H中的一种或多种；

所述钕铁硼磁体的最外层复合有无机涂层。

8.一种如权利要求6或7任意一项所述的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将RAH合金粉末与第一溶剂混合后，得到第一混合液；

将无机材料粉末与第二溶剂混合后，得到第二混合液；

B)将上述步骤得到的第一混合液复合在钕铁硼磁体黑片表面，再将第二混合液继续复合在上述钕铁硼磁体黑片表面后，得到钕铁硼磁体中间体；

C)在真空或保护气氛的条件下，将上述步骤得到的钕铁硼磁体中间体进行热处理后，得到钕铁硼磁体。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述RAH合金粉末的粒径为0.5～50μm；

所述无机材料粉末的粒径为0.2～70μm；

所述热处理包括扩散处理和时效处理。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理的温度为750～1000℃；

所述扩散处理的时间为2～50小时；

所述时效处理的温度为450～580℃；

所述时效处理的时间为4～6小时。