[发明专利]低势垒高度肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述低势垒高度肖特基二极管的制备方法包括如下步骤：

1)提供一基底；

2)于所述基底的表面形成石墨烯薄膜；

3)对所述石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；

4)于所述氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极，以于所述金属电极与所述基底之间形成肖特基结；

5)去除所述肖特基结所在区域之外的所述氟化石墨烯绝缘层，并裸露出所述基底；

6)于裸露的所述基底表面形成欧姆接触电极。

2.根据权利要求1所述的低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤1)中提供的所述基底包括锗基底。

3.根据权利要求2所述的低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述锗基底包括N型锗基底。

4.根据权利要求1所述的低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用化学气相沉积法于所述基底的表面原位生长所述石墨烯薄膜。

5.根据权利要求1所述的低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用六氟化硫气体对所述石墨烯薄膜进行等离子体氟化处理，以使得所述石墨烯薄膜全部转换为氟化石墨烯绝缘层。

6.根据权利要求1所述的低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤5)中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除所述肖特基结所在区域之外的所述氟化石墨烯绝缘层。

7.一种低势垒高度肖特基二极管，其特征在于，所述低势垒高度肖特基二极管包括：

基底；

金属电极，位于所述基底上，以于所述金属电极与所述基底之间形成肖特基结；

氟化石墨烯绝缘层，位于所述基底的表面，且位于所述金属电极与所述基底之间；

欧姆接触电极，位于所述氟化石墨烯绝缘层所在区域之外的所述基底的表面。

8.根据权利要求7所述的低势垒高度肖特基二极管，其特征在于，所述基底包括锗基底。

9.根据权利要求8所述的低势垒高度肖特基二极管，其特征在于，所述锗基底包括N型锗基底。

10.根据权利要求7所述的低势垒高度肖特基二极管，其特征在于，所述金属电极包括钛/金电极。