[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，阵列基板的制作方法包括在源漏极金属层的湿蚀刻工艺后对导状光阻图案进行第一次灰化，岛状光阻图案包括第一部分和位于第一部分两侧的两个第二部分，第二部分的高度大于第一部分的高度，使岛状光阻图案的边缘与源漏极金属段的边缘对齐。本发明通过对岛状光阻图案增加第一次灰化工艺，使其边缘与湿蚀刻后的源漏极金属段的边缘对齐，当对源漏极金属层下方的半导体材料层进行干蚀刻时，能够使半导体材料层的边缘与源漏极金属层的边缘接近甚至对齐，降低有源层的带尾长度，防止有源层的两侧被光线照射到而产生光漏电流，保证了像素电压的稳定以及画面显示的质量。

技术领域

本发明属于显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)是液晶显示器的重要组成部分，其通常包括相对设置的彩色滤光片基板(Color Filter Substrate，CF基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT阵列基板)，以及配置于该两基板之间的液晶层(Liquid Crystal Layer)构成。阵列基板上设有相互交叉用于限定多个像素单元的扫描线和数据线，TFT根据扫描线的信号打开或关闭，以将数据线的信号传递至像素单元，液晶层的液晶分子根据不同数据电压信号旋转，以透光或遮光，将背光模组所提供的光线折射出来以形成对应数据信号的图像。

底栅型的薄膜晶体管(TFT)的制作中，括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极层均包括一道光刻制程。目前提出的一种节省制程的方法是通过一道半色调光刻工艺形成源漏极和有源层，先采用湿蚀刻法以感光材料层为掩模对源漏极金属层进行湿蚀刻，然后以感光材料层为掩模对源漏极金属层下方的有源层进行干蚀刻，由于湿蚀刻具有各向同性的特点，所以对源漏极金属层的横向蚀刻长度接近于垂直蚀刻深度，造成源漏极金属层相对于感光材料层缩进一段距离，而干蚀刻后的有源层与感光材料层的长度基本一致，如此，造成有源层相对于源漏极金属层突出一段距离，称为有源层带尾(tail)。由于该带尾，使得有源层从背光方向上有一段距离无法被栅极遮挡，从正光方向上有一段距离无法被源漏极遮挡。来自背光源的光线和被液晶层一侧反射的光线照射到有源层上，产生光漏电流，进而造成像素电压的变化并使最佳伽马公共电压(BestVcom,Best gamma common voltage)不稳定，导致画面发生闪烁现象和残影(Image Sticking)的发生，最终降低画面显示质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，旨在解决有源层带尾导致光漏电流的技术问题。

本发明是这样实现的，一种阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；

对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；

以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；

对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；

以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。

所述半导体材料层包括非晶硅层以及形成于所述非晶硅层上的掺杂层；所述有源段部分包括非晶硅段以及设于非晶硅段上的掺杂段。