[发明专利]一种半导体清洗方法在审
| 申请号： | 201811243528.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111092012A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 万知武 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 清洗 方法 | ||
1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包括：
将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；
对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；
对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。
2.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述脱胶操作包括：
将所述半导体放入NMP溶液中进行第一次浸泡；其中，浸泡温度为45～55℃，浸泡时长为20～25mi n；
将所述半导体放入NMP溶液中进行第二次浸泡；其中，浸泡温度为50～60℃，浸泡时长为20～25mi n。
3.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度为20～30℃；所述第一预设时间为15～25mi n。
4.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述第二预设温度为20～23℃；所述第二预设时间为15～25mi n。
5.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥，具体包括：
用气枪将所述半导体表面的液体吹干。
6.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间后，还包括：
将所述半导体静置晾干，静置温度为20～30℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
