[发明专利]线圈组件有效
申请号: | 201811244703.3 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109903967B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 文声敏;金澈淳;金愉钟;金东珉;崔令到;许泰宁 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 祝玉媛;王慧敏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈 组件 | ||
1.一种线圈组件,包括:
主体,包括包含通孔的支撑构件、设置在所述支撑构件上并且包括第一开口图案的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上并且包括第二开口图案的第二绝缘层以及包括填充在所述第一开口图案和所述第二开口图案中的线圈图案的线圈;以及
外电极,设置在所述主体的外表面上,
其中,所述线圈图案具有下表面的线宽比与所述下表面相对的上表面的线宽窄的T形截面,并且具有包括多个层的堆叠结构,
所述多个层包括与所述支撑构件接触的薄膜导体层,所述薄膜导体层延伸到所述第一开口图案的整个下表面和所述第一开口图案的侧表面的至少一部分,并且
其中,所述多个层还包括设置在所述薄膜导体层上的基体层,所述基体层的上表面低于所述第一绝缘层的上表面。
2.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,设置在所述第一开口图案的侧表面上的所述薄膜导体层的高度小于所述第一绝缘层的高度。
3.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述多个层还包括镀层,所述镀层设置在所述第二开口图案中,所述镀层的一部分延伸到所述第一开口图案中并与所述基体层接触。
4.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述支撑构件还包括通路孔。
5.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述通路孔的侧表面完全被所述薄膜导体层包围。
6.根据权利要求5所述的线圈组件,其中,所述薄膜导体层延伸到所述支撑构件的上表面和下表面的与所述通路孔连接的部分。
7.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述支撑构件的厚度在大于等于10μm且小于60μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层的厚度在5μm至20μm的范围内。
9.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第二绝缘层的厚度在100μm至300μm的范围内。
10.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层的线宽在15μm至100μm的范围内,并且所述第二绝缘层的线宽在5μm至20μm的范围内。
11.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述主体包含磁性材料,并且所述磁性材料包封所述线圈。
12.根据权利要求11所述的线圈组件,其中,所述支撑构件的所述通孔包括所述磁性材料。
13.根据权利要求1所述的线圈组件,所述线圈组件还包括设置在所述线圈图案的上表面上的第三绝缘层。
14.根据权利要求13所述的线圈组件,其中,所述第三绝缘层覆盖所述线圈图案的整个所述上表面。
15.根据权利要求13所述的线圈组件,其中,所述第三绝缘层具有平坦的形状。
16.根据权利要求13所述的线圈组件,其中,所述第三绝缘层包围所述线圈图案的所述上表面、所述第二绝缘层的上表面以及所述支撑构件的一个表面的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的线圈组件,其中,所述第三绝缘层的厚度在1μm至10μm的范围内。
18.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述薄膜导体层是镀层。
19.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,在所述线圈组件的厚度方向的截面图中,所述基体层的所述上表面呈弧形。
20.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述基体层包含导电材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811244703.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于电感元件的卵形连续线圈
- 下一篇:线圈组件