[发明专利]金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法

权利要求书

1.一种金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其特征在于依序包含下列步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包含衬底以及外延层，所述外延层形成于所述衬底上方；

于所述外延层上形成掺杂区；

于所述掺杂区形成多个沟渠环，所述多个沟渠环穿过所述掺杂区进入到所述外延层；

形成栅极氧化层于各所述沟渠环内；

以多晶硅沉积于所述栅极氧化层上方；

进行多晶硅回蚀刻而于各所述沟渠环的二个侧壁形成自对准的二个岛状多晶硅区，所述二个岛状多晶硅区互不接触；

形成绝缘氧化层于各所述沟渠环内，所述绝缘氧化层覆盖于所述二个岛状多晶硅区上方；以及

覆盖金属层于所述掺杂区，并对所述金属层进行图形布建以形成不连续金属层。

2.如权利要求1所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其中于所述掺杂区形成所述多个沟渠环依序包含下列步骤：

于所述掺杂区上方沉积硬掩模；

于所述硬掩模上形成图形化光阻；

以所述图形化光阻于所述硬掩模进行沟渠环图形布建；以及

进行干蚀刻，于所述掺杂区形成所述多个沟渠环。

3.如权利要求1所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其中于所述掺杂区形成所述多个沟渠环之后，以及形成所述栅极氧化层于各所述沟渠环内之前还包含下列步骤：

形成牺牲氧化层于各所述沟渠环内，再移除所述牺牲氧化层。

4.如权利要求1所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其中在形成所述绝缘氧化层于各所述沟渠环内之后，以及在覆盖所述金属层于所述掺杂区之前还包含下列步骤：

于所述绝缘氧化层上形成图形化光阻；

以所述图形化光阻于所述金氧半场效应晶体管的主体区对暴露的所述绝缘氧化层进行蚀刻形成接触窗，再移除所述图形化光阻；以及

通过所述接触窗于所述主体区的所述掺杂区形成源极多晶硅区及重掺杂区。

5.如权利要求1所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其中形成所述绝缘氧化层于各所述沟渠环内依序包含下列步骤：

形成内层介电层于各所述沟渠环内；以及

形成硼磷硅玻璃层于所述内层介电层上。

6.如权利要求1所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构的制造方法，其中对所述金属层进行图形布建以形成所述不连续金属层依序包含下列步骤：

于所述掺杂区上方沉积所述金属层；

于所述金属层上方形成图形化光阻；

以所述图形化光阻对所述金属层进行蚀刻并移除图形化光阻；以及

形成所述不连续金属层。

7.一种金氧半场效应晶体管的终端区结构，其特征在于包含：

半导体衬底，包含衬底以及外延层，所述外延层形成于所述衬底上方；

掺杂区，形成于所述外延层上，所述掺杂区具有多个沟渠环，所述多个沟渠环穿过所述掺杂区进入到所述外延层；

栅极氧化层，形成于各所述沟渠环内；

二个岛状多晶硅区，形成于各所述沟渠环的二个侧壁的所述栅极氧化层上，所述二个岛状多晶硅区互不接触；

绝缘氧化层，覆盖于所述二个岛状多晶硅区上方；以及

不连续金属层，形成于所述掺杂区及所述沟渠环内的所述栅极氧化层及所述绝缘氧化层上方。

8.如权利要求7所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构，其中所述二个岛状多晶硅区所使用的材料包含：多晶硅、金属、非晶硅或上述的组合，且其中所述栅极氧化层所使用的材料为氧化硅。

9.如权利要求7所述的金氧半场效应晶体管的终端区结构，其中所述绝缘氧化层包含：

内层介电层；以及

硼磷硅玻璃层，形成于所述内层介电层上方。