[发明专利]用于等离子体过滤的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体处理腔室，包含：

喷淋头；

基板支撑件；

电源，与所述基板支撑件电气耦合并且经构造以向所述基板支撑件提供电力来在所述喷淋头与所述基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体；以及

等离子体屏蔽件，与所述基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过所述等离子体屏蔽件的等离子体泄漏，其中所述等离子体屏蔽件与电气接地耦合。

2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件包含从所述基板支撑件向外径向延伸的环形部件。

3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由绕所述等离子体屏蔽件的内部半径的第一厚度表征，并且其中所述等离子体屏蔽件由绕所述等离子体屏蔽件的外部半径的小于所述第一厚度的第二厚度表征。

4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定穿过所述等离子体屏蔽件的多个孔。

5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔在所述等离子体屏蔽件的由所述第二厚度表征的区域内限定。

6.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔的每个孔由包括锥形部的轮廓表征，所述锥形部至少部分地穿过所述等离子体屏蔽件延伸。

7.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定穿过所述等离子体屏蔽件的至少约500个孔。

8.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔的每个孔由小于或约0.25英寸的直径表征。

9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中在所述等离子体屏蔽件的径向边缘与所述半导体处理腔室的侧壁之间维持间隙。

10.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件被维持与所述基板支撑件的静电夹盘部分电气隔离，所述静电夹盘部分与所述电源电气耦合。

11.一种半导体处理腔室，包含：

腔室侧壁；

喷淋头；

基板支撑件，其中所述基板支撑件与所述喷淋头和所述腔室侧壁一起限定所述半导体处理腔室的处理区域，其中所述基板支撑件包含导电圆盘，其中所述基板支撑件能从所述处理区域内的第一竖直位置移动到所述处理区域内邻近所述喷淋头的第二竖直位置；

电源，与所述导电圆盘电气耦合，所述电源适于向所述导电圆盘提供能量以在所述处理区域内形成偏压等离子体；以及

等离子体屏蔽件，沿着所述基板支撑件的圆周与所述基板支撑件耦合，其中所述等离子体屏蔽件朝向所述腔室侧壁向外径向延伸，并且其中所述等离子体屏蔽件维持在电气接地处。

12.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由内部半径和外部半径表征，并且其中所述等离子体屏蔽件由在所述等离子体屏蔽件的内部区域与外部区域之间的边界处限定的内半径表征。

13.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定在所述等离子体屏蔽件的所述外部区域内并且绕所述等离子体屏蔽件延伸的多个孔。

14.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件在所述基板支撑件的外边缘处沿着所述等离子体屏蔽件的所述内部区域耦合。

15.如权利要求14所述的半导体处理腔室，其中所述基板支撑件包含外接所述基板支撑件的边缘环，其中所述边缘环放置在所述等离子体屏蔽件的所述内部区域上。

16.如权利要求15所述的半导体处理腔室，其中所述边缘环为石英。