[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201811247729.3 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109935671B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳珍;郭得山;李奇霖;卓亨颖;欧震;陈俊扬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
基板；
第一半导体层，位于该基板上；
第二半导体层，位于该第一半导体层上；
第三半导体层，位于该第二半导体层上；
活性层，位于该第二半导体层及该第三半导体层之间；
暴露区，穿过该第三半导体层及该活性层，暴露出该第一半导体层的第一表面以及该第二半导体层的第二表面；以及
第一电极，位于该暴露区中，且接触该第一表面及该第二表面；
其中，该第一半导体层与该第二半导体层具有不同阻值；
该第一半导体层与该第二半导体层具有不同掺杂浓度的相同导电性掺杂物，且该第一半导体层的该导电性掺杂物的浓度介于5×1018cm-3至1×1020cm-3；
该第一表面包含第一侧表面以及第一上表面；
该第二表面包含第二侧表面以及第二上表面；
其中该第二上表面至该第一上表面的深度介于0.2-1μm。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层与该第二半导体层包含相同材料。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层与该第二半导体层包含不同材料。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层的厚度大于该第二半导体层的厚度。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一上表面包含第一接触区域，与该第一电极接触；以及，其中该第二上表面包含第二接触区域，与该第一电极接触。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一接触区域及/或该第二接触区域由上视观之包含图案。
7.如权利要求6所述的发光元件，其中该图案包含条状、环状、栅状、十字交叉状或放射状。
8.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一接触区域由上视观之包含多个第一图案，且该多个第一图案被该第二接触区域所隔开。
9.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一接触区域的面积与该第二接触区域的面积不同。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一电极与该第一半导体层中及第二半导体层中具有较低阻值者之间有较大接触面积。
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