[发明专利]嵌入式电容及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811248544.4 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109302797B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 崔成强;赖韬;张昱 申请(专利权)人: 广州市香港科大霍英东研究院
主分类号: H05K1/16 分类号: H05K1/16;H01G4/00;H01G4/08;H01G4/20
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍;刘杉
地址: 511458 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 嵌入式 电容 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种嵌入式电容,属于嵌入式电子元件技术领域。该嵌入式电容,包括介电复合层、层叠于所述介电复合层两侧的无机介电层、以及层叠于所述无机介电层外侧的铜层;所述介电复合层由粉体和树脂的混合物制成;所述无机介电层为无机介电粉体层或金属氧化薄膜层,所述无机介电粉体层主要由粉体制成,所述金属氧化薄膜层主要由二氧化钛或氧化铝制成;所述铜层设有电容图案;所述粉体选自钛酸钡或钛酸锶中的至少一种。该嵌入式电容通过介电复合层和无机介电层的配合,极大降低了气泡对电容元器件的影响,避免了气泡引起的薄介电层易被击穿导致电容失效的问题,达到了增强击穿电压、提高使用寿命的优异效果。

技术领域

本发明涉及嵌入式电子元件技术领域,特别是涉及一种嵌入式电容及其制备方法。

背景技术

在设计中加入嵌入式电容器能够节省PCB外层的空间,节省空间使PCB的体积更小、重量更轻、厚度更薄,并且不需要在板面上使用去耦电容,还可以去掉超过40%的旁路电容器,同时消除了焊接点,使产品可靠性得到了提高。

常规使用的嵌入式电容包括一种分布式电容或平面电容,主要是在铜层的基础上压上非常薄的介电绝缘层,一般以电源层/地层的形式成对出现,非常薄的介电绝缘层使电源层与地层之间的距离非常小,得到的电容量的大小取决于绝缘层的厚度和介电常数,同时还与电路板的尺寸有关系。

目前嵌入式电容材料主要来自三个品牌,3M:ECM(非常纤薄的陶瓷填充环氧树脂层),DuPont Interra:HK04J(只使用聚酰亚胺作为介电芯),Oak-Mitsui:FaradFlex(环氧树脂或其他树脂粘在高性能聚合物薄膜上)。

但目前市场上使用的电容存在极易使介电层被击穿,电容失效的问题,增加生产和使用成本。

发明内容

基于此,有必要针对上述问题,提供一种嵌入式电容,该电容不易使介电层被击穿,并且同时两电容串联可以提高电容的耐压,提升介电性能。

一种嵌入式电容,包括介电复合层、层叠于所述介电复合层两侧的无机介电层、以及层叠于所述无机介电层外侧的铜层;

所述介电复合层主要由粉体和树脂的混合物制成;

所述无机介电层为无机介电粉体层或金属氧化薄膜层,所述无机介电粉体层主要由粉体制成,所述金属氧化薄膜层主要由二氧化钛或氧化铝制成;

所述铜层设有电容图案;

所述粉体选自钛酸钡或钛酸锶中的至少一种。

本发明人在长期实践工作的基础上发现,目前市场上使用的电容存在介电层容易被击穿的问题,是由于目前市场上使用的电容中,其树脂在加热固化的过程中容易产生气泡,而对于非常薄的绝缘层而言,气泡的存在是致命的,极易使介电层被击穿,电容失效。

因此,基于上述发现,本发明的一种嵌入式电容,通过介电复合层和无机介电层的配合,极大降低了气泡对电容元器件的影响,避免了气泡引起的薄介电层易被击穿导致电容失效的问题,达到了增强击穿电压、提高使用寿命的优异效果。

在其中一个实施例中,所述无机介电层的厚度是0.1μm~50μm,所述介电复合层的厚度是0.1μm~50μm。所述无机介电层的厚度优选1μm~10μm,所述介电复合层的厚度优选5μm~20μm。上述厚度使得制备得到的嵌入式电容器厚度更薄,能够节省PCB的空间。

在其中一个实施例中,所述树脂选自环氧树脂、酚醛树脂、酸酐树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述无机介电层中,所述粉体在所述树脂中的质量百分数为30~50%。将所述粉体的添加量控制在上述范围内,具有粉体分散均匀且微观结构致密的优点。

本发明还公开了上述的嵌入式电容的制备方法,包括以下步骤:

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